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1. (WO2008086528) PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE DÉFAUTS LITHOGRAPHIQUEMENT SIGNIFICATIFS SUR DES RÉTICULES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/086528    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/050914
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 11.01.2008
CIB :
G03F 1/00 (2006.01)
Déposants : KLA-TENCOR TECHNOLOGIES CORPORATION [US/US]; One Technology Drive, Milpitas, California 95035 (US) (Tous Sauf US).
WIHL, Mark J. [US/US]; (US) (US Seulement).
XIONG, Yalin [CN/US]; (US) (US Seulement).
YIIN, Lih-huah [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WIHL, Mark J.; (US).
XIONG, Yalin; (US).
YIIN, Lih-huah; (US)
Mandataire : KALINSKI, Francis T.; Beyer Law Group LLP, P.O. Box 1687, Cupertino, California 95015-1687 (US)
Données relatives à la priorité :
11/622,432 11.01.2007 US
Titre (EN) METHOD FOR DETECTING LITHOGRAPHICALLY SIGNIFICANT DEFECTS ON RETICLES
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE DÉFAUTS LITHOGRAPHIQUEMENT SIGNIFICATIFS SUR DES RÉTICULES
Abrégé : front page image
(EN)A method for identifying lithographically significant defects. A photomask is illuminated to produce images that experience different parameters of the reticle as imaged by an inspection tool. Example parameters include a transmission intensity image and a reflection intensity image. The images are processed together to recover a band limited mask pattern associated with the photomask. A model of an exposure lithography system for chip fabrication is adapted to accommodate the band limited mask pattern as an input which is input into the model to obtain an aerial image of the mask pattern that is processed with a photoresist model yielding a resist-modeled image. The resist-modeled image is used to determine if the photomask has lithographically significant defects.
(FR)L'invention concerne un procédé d'identification de défauts lithographiquement significatifs. Un masque photographique est éclairé pour produire des images qui présentent différents paramètres du réticule comme imagé par un outil d'inspection. Des exemples de paramètres comprennent une image d'intensité de transmission et une image d'intensité de réflexion. Les images sont traitées ensemble pour récupérer un motif de masque à bande limitée associé au masque photographique. Un modèle d'un système de lithographie d'exposition pour la fabrication de pastilles est adapté pour recevoir le motif de masque à bande limitée comme entrée qui est entré dans le modèle pour obtenir une image aérienne du motif de masque qui est traité avec un modèle de résine photosensible produisant une image modelée par résine photosensible. L'image modelée par résine photosensible est utilisée pour déterminer si le masque photographique présente des défauts lithographiquement significatifs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)