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1. (WO2008086499) DISPOSITIF THERMOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/086499    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/050803
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 10.01.2008
CIB :
H01L 35/04 (2006.01)
Déposants : AMERIGON INCORPORATED [US/US]; 21680 Haggerty Road, Northville, MI 48167 (US) (Tous Sauf US).
PETROVSKI, Dusko [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PETROVSKI, Dusko; (US)
Mandataire : DELANEY, Karoline, A.; Knobbe, Martens, Olson & Bear, LLP, 2040 Main Street, 14th Floor, Irvine, CA 92614 (US)
Données relatives à la priorité :
60/884,306 10.01.2007 US
Titre (EN) THERMOELECTRIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF THERMOÉLECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A thermoelectric system includes a pair of substrates, a plurality of semiconductor elements, and first, second, and third terminals. The semiconductor elements are positioned between the opposing faces of the substrates, and the semiconductor elements comprise at least two groups of dissimilar semiconductor elements. The semiconductor elements are electrically coupled in series by conductor elements arranged so the two groups of dissimilar semiconductor elements are connected in an alternating pattern. The first, second and third terminals are connected to the conductor elements with the third terminal positioned between the first and second terminals. The electrically coupled semiconductor elements comprise first nodes and second nodes. The first and second nodes emit or absorb heat according to electric current flowing through the semiconductor elements, and impedance of the thermoelectric system is controlled by switching the switch.
(FR)Le système thermoélectrique selon l'invention comprend une paire de substrats, une pluralité d'éléments semi-conducteurs et des première, deuxième et troisième bornes. Les éléments semi-conducteurs sont disposés entre les faces opposées des substrats, et comprennent au moins deux groupes d'éléments semi-conducteurs dissemblables. Les éléments semi-conducteurs sont couplés électriquement en série par des éléments conducteurs conçus de manière à ce que les deux groupes d'éléments semi-conducteurs dissemblables soient connectés en alternance. Les première, deuxième et troisième bornes sont connectées aux éléments conducteurs avec la troisième borne disposée entre les deux premières. Les éléments semi-conducteurs couplés électriquement comprennent des premiers et des seconds nœuds. Ces premiers et seconds nœuds émettent ou absorbent de la chaleur en fonction du courant électrique circulant dans les éléments semi-conducteurs, et l'impédance du système thermoélectrique est commandée par l'actionnement du commutateur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)