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1. (WO2008086465) SILANISATION DE FILMS DE MÉTAL NOBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/086465    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/050734
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 10.01.2008
CIB :
C08L 83/00 (2006.01)
Déposants : LAMDAGEN CORPORATION [US/US]; 30 Anguido Court, Burlingame, California 94010 (US) (Tous Sauf US).
GERION, Daniele [CH/US]; (US)
Inventeurs : GERION, Daniele; (US)
Mandataire : TRIMBLE, Alexander R.; Townsend and Townsend and Crew LLP, Two Embarcadero Center, 8th Floor, San Francisco, California 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
60/879,892 11.01.2007 US
11/970,821 08.01.2008 US
Titre (EN) SILANIZATION OF NOBLE METAL FILMS
(FR) SILANISATION DE FILMS DE MÉTAL NOBLE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method of preparing a silica layer on a surface, the method comprising contacting the surface with a first alkoxysilane and a first base, such that a first siloxane layer is formed on the surface; and contacting the first siloxane layer with a combination of a binding alkoxysilane, a growth limiting alkoxysilane and a second base, such that a second siloxane layer forms on top of the first siloxane layer, wherein the silica layer is prepared at a temperature of less than 100 °C, and wherein the growth limiting alkoxysilane limits the thickness of the silica layer to less than 100 nm, thereby preparing the silica layer.
(FR)La présente invention concerne un procédé de préparation d'une couche de silice sur une surface, lequel procédé consiste à mettre en contact la surface avec un premier alkoxysilane et une première base, de manière à former une première couche de siloxane sur la surface, puis à mettre en contact cette première couche de siloxane avec une combinaison formée d'un alkoxysilane de liaison, d'un alkoxysilane de limitation de croissance et d'une seconde base, de manière à former une seconde couche de siloxane au-dessus de la première couche de siloxane, la couche de silice se formant à une température inférieure à 100°C et l'alkoxysilane de limitation de croissance limitant l'épaisseur de la couche de silice à moins de 100 nm, ce qui permet d'obtenir ladite couche de silice.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)