WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008086366) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/086366    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/050532
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 08.01.2008
CIB :
H01L 29/76 (2006.01)
Déposants : MAXPOWER SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 675 Regas Drive, Campbell, California 95008 (US) (Tous Sauf US).
DARWISH, Mohamed, N. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DARWISH, Mohamed, N.; (US)
Mandataire : GROOVER, Robert, O.; Groover & Associates, P.O.Box 802889, Dallas, TX 75380 (US)
Données relatives à la priorité :
60/879,434 09.01.2007 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor structure includes a number of semiconductor regions, a pair of dielectric regions and a pair of terminals. The first and second regions of the structure are respectively coupled to the first and second terminals. The third region of the structure is disposed between the first and second regions. The dielectric regions extend into the third region. A concentration of doping impurities present in the third region and a distance between the dielectric regions define an electrical characteristic of the structure. The electrical characteristic of the structure is independent of the width of the dielectric regions width. The first and second regions are of opposite conductivity types. The structure optionally includes a fourth region that extends into the third region, and surrounds a portion of the pair of dielectric regions. The interface region between the dielectric regions and the fourth region includes intentionally introduced charges.
(FR)Une structure semi-conductrice comprend un certain nombre de zones semi-conductrices, une paire de régions diélectriques et une paire de bornes. La première et la deuxième régions de la structure sont respectivement couplées à la première et à la deuxième borne. La troisième région de la structure est disposée entre la première et la seconde région. Les régions diélectriques s'étendent dans la troisième région. Une concentration d'impuretés de dopage présentes dans la troisième région et une distrance entre les régions diélectriques constituent une caractéristique électrique de la structure. Cette dernière est indépendante de la largeur des régions diélectriques. La première et la seconde région ont des types de conductivité opposées. La structure comprend facultativement une quatrième région qui s'étend dans la troisième région et entoure une partie des régions diélectriques. La région d'interface entre les régions diélectriques et la quatrième région comporte de manière intentionnelle des charges introduites.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)