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1. (WO2008086361) ATTÉNUATION DE RACCOURCISSEMENT DE FINS DE LIGNE PENDANT UNE GRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/086361    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/050524
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 08.01.2008
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, California 94538 (US) (Tous Sauf US).
ADAMS, Yoko Yamaguchi [JP/US]; (US) (US Seulement).
KOTA, Gowri [US/US]; (US) (US Seulement).
LIN, Frank Y. [US/US]; (US) (US Seulement).
ZHONG, Qinghua [SG/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ADAMS, Yoko Yamaguchi; (US).
KOTA, Gowri; (US).
LIN, Frank Y.; (US).
ZHONG, Qinghua; (US)
Mandataire : LEE, Michael B. K.; Beyer Law Group LLP, P.O. Box 1687, Cupertino, California 95015-1687 (US)
Données relatives à la priorité :
11/621,902 10.01.2007 US
Titre (EN) LINE END SHORTENING REDUCTION DURING ETCH
(FR) ATTÉNUATION DE RACCOURCISSEMENT DE FINS DE LIGNE PENDANT UNE GRAVURE
Abrégé : front page image
(EN)A method for etching features in an etch layer is provided. A patterned photoresist mask is provided over the etch layer, the photoresist mask having at least one photoresist line having a pair of sidewalls ending at a line end is provided. A polymer layer is placed over the at least one photoresist line, wherein a thickness of the polymer layer at the line end of the photoresist line is greater than a thickness of the polymer layer on the sidewalls of the photoresist line. Features are etched into the etch layer through the photoresist mask, wherein a line end shortening (LES) ratio is less than or equal to 1.
(FR)L'invention concerne un procédé pour graver des motifs dans une couche à graver. Ledit procédé consiste à former sur la couche à graver un masque de photorésine comportant au moins une ligne de photorésine dotée d'une paire de parois latérales se terminant sur une fin de ligne. Une couche polymère est placée sur la ligne de phororésine, l'épaisseur de cette couche au niveau de la fin de ligne de photorésine étant supérieure à l'épaisseur de la couche polymère sur les parois latérales de la ligne de photorésine. Les motifs sont gravés dans la couche à graver par l'intermédiaire du masque de photorésine, le rapport de raccourcissement de fin de ligne (LES) étant inférieur ou égal à 1.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)