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1. (WO2008086348) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/086348    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/050505
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 08.01.2008
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : MAXPOWER SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 675 Regas Drive, Campbell, California 95008 (US) (Tous Sauf US).
DARWISH, Mohamed, N. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DARWISH, Mohamed, N.; (US)
Mandataire : GROOVER, Robert, O.; Groover & Associates, P.O.Box 802889, Dallas, TX 75380 (US)
Données relatives à la priorité :
60/879,434 09.01.2007 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device includes a semiconductor layer of a first conductivity type and a semiconductor layer of a second conductivity type formed thereon. The semiconductor device also includes a body layer extending a first predetermined distance into the semiconductor layer of the second conductivity type and a pair of trenches extending a second predetermined distance into the semiconductor layer of the second conductivity type. Each of the pair of trenches consists essentially of a dielectric material disposed therein and a concentration of doping impurities present in the semiconductor layer of the second conductivity type and a distance between the pair of trenches define an electrical characteristic of the semiconductor device. The semiconductor device further includes a control gate coupled to the semiconductor layer of the second conductivity type and a source region coupled to the semiconductor layer of the second conductivity type.
(FR)Un dispositif semi-conducteur comprend une couche semi-conductrice d'un premier type de conductivité et une couche semi-conductrice d'un second type de conductivité formée sur ladite première couche. Le dispositif semi-conducteur comprend un corps de couche s'étendant sur une première distance prédéterminée dans la couche semi-conductrice du second type de conductivité et une paire de sillons s'étendant sur une seconde distance prédéterminée dans la couche semi-conductrice du second type de conductivité. Chacun des sillons se compose essentiellement d'un matériau diélectrique disposé en son sein et, en outre, une concentration d'impuretés de dopage présente dans la couche semi-conductrice du second type de conductivité et une distance entre la paire de sillons constituent une caractéristique électrique du dispositif semi-conducteur. Celui-ci comprend un grille de commande couplée à la couche semi-conductrice du second type de conductivité et une région source couplée à la couche semi-conductrice du second type de conductivité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)