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1. (WO2008086001) MISE EN FORME DE ZONE ACTIVE POUR DISPOSITIF AU NITRURE III ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/086001    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/000305
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 09.01.2008
CIB :
H01L 29/739 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION [US/US]; 233 Kansas Street, El Segundo, CA 90245 (US) (Tous Sauf US).
BRIERE, Michael, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
BRIDGER, Paul [CA/US]; (US) (US Seulement).
CAO, Jianjun [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BRIERE, Michael, A.; (US).
BRIDGER, Paul; (US).
CAO, Jianjun; (US)
Mandataire : WEINEER, Samuel, H.; 1180 Avenue Of The Americas, F1. 7, New York, NY 10036 (US)
Données relatives à la priorité :
60/884,272 10.01.2007 US
Titre (EN) ACTIVE AREA SHAPING FOR III-NITRIDE DEVICE AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURE
(FR) MISE EN FORME DE ZONE ACTIVE POUR DISPOSITIF AU NITRURE III ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A Ill-nitride heterojunction power semiconductor device that includes a passivation body with a gate well having a top mouth that is wider than the bottom mouth thereof, and a method of fabrication for the same.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de puissance à semiconducteur nitrure III à hétérojonction qui comprend un corps de passivation comportant un puits de grille dont la bouche supérieure est plus large que la bouche inférieure. L'invention porte aussi sur un procédé de fabrication dudit dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)