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1. (WO2008085806) ENCRE À NANOPARTICULES À BASE DE SILICIUM/GERMANIUM, PARTICULES DOPÉES, IMPRESSION ET PROCÉDÉS POUR DES APPLICATIONS DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/085806    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/000004
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 02.01.2008
CIB :
C09D 11/00 (2006.01), C09C 1/28 (2006.01)
Déposants : NANOGRAM CORPORATION [US/US]; 165 Topaz Street, Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
HIESLMAIR, Henry [US/US]; (US) (US Seulement).
DIOUMAEV, Vladimir, K. [US/US]; (US) (US Seulement).
CHIRUVOLU, Shivkumar [US/US]; (US) (US Seulement).
DU, Hui, K. [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HIESLMAIR, Henry; (US).
DIOUMAEV, Vladimir, K.; (US).
CHIRUVOLU, Shivkumar; (US).
DU, Hui, K.; (US)
Mandataire : DARDI, Peter, S.; DARDI & ASSOCIATES, PLLC, US Bank Plaza, Suite 2000, 220 South 6th Street, Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
60/878,239 03.01.2007 US
Titre (EN) NANOPARTICLE INKS BASED ON SILICON/GERMANIUM, DOPED PARTICLES, PRINTING AND PROCESSES FOR SEMICONDUCTOR APPLICATIONS
(FR) ENCRE À NANOPARTICULES À BASE DE SILICIUM/GERMANIUM, PARTICULES DOPÉES, IMPRESSION ET PROCÉDÉS POUR DES APPLICATIONS DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Highly uniform silicon/germanium nanoparticles can be formed into stable dispersions with a desirable small secondary particle size. The silicon/germanium particles can be surface modified to form the dispersions. The silicon/germanium nanoparticles can be doped to change the particle properties. The dispersions can be printed as an ink for appropriate/ applications. The dispersions can be used to form selectively doped deposits of semiconductor materials such as for the formation of photovoltaic cells or for the formation of printed electronic circuits.
(FR)L'invention concerne des nanoparticules de silicium/germanium à uniformité élevée qui peuvent être formées en dispersions stables avec la petite taille voulue pour des particules secondaires. La surface des particules de silicium/germanium peut être modifiée pour former les dispersions. Les nanoparticules de silicium/germanium peuvent être dopées pour changer les propriétés des particules. Les dispersions peuvent être imprimées sous la forme d'une encre pour des applications appropriées. Les dispersions peuvent être utilisées pour former, de manière sélective, des dépôts dopés de matériaux semi-conducteurs, tels que pour la fabrication de cellules photovoltaïques ou pour la fabrication de circuits électroniques imprimés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)