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1. (WO2008085523) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR PRÉSENTANT UNE MEILLEURE ADHÉSION D'INTERFACE DE FILMS D'EMPILEMENT DE GRILLE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/085523    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/060434
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 12.01.2007
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/3215 (2006.01)
Déposants : AGERE SYSTEMS, INC. [US/US]; 1110 American Parkway Ne, Allentown, PA 18109 (US) (Tous Sauf US).
MERCHANT, Sailesh, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
ROSSI, Nace, M. [FR/SG]; (SG) (US Seulement)
Inventeurs : MERCHANT, Sailesh, M.; (US).
ROSSI, Nace, M.; (SG)
Mandataire : GAINES, Charles, W.; HITT GAINES, PC, P.O. Box 832570, Richardson, TX 75083 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING IMPROVED INTERFACE ADHESION OF GATE STACK FILMS AND METHOD OF MANUFACTURER THEREFORE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR PRÉSENTANT UNE MEILLEURE ADHÉSION D'INTERFACE DE FILMS D'EMPILEMENT DE GRILLE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)In one aspect, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device that includes the steps of forming a polysilicon layer over a substrate, forming a silicide layer on the polysilicon layer, and forming a crystalline silicon layer at an interface between the silicide layer and the polysilicon layer prior to patterning the polysilicon and silicide layers. In another aspect, the crystalline silicon layer is formed prior to forming the contact plugs in a contact or window one dielectric layer.
(FR)L'invention concerne le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur. Ledit procédé comporte les étapes consistant à former une couche de polysilicium sur un substrat ; une couche de siliciure sur la couche de polysilicium ; et une couche de silicium cristallin au niveau d'une interface entre la couche de siliciure et la couche de polysilicium avant de modeler les contours des couches de polysilicium et de siliciure. Dans un autre développement, la couche de silicium cristallin est formée avant le formage des connecteurs dans une couche diélectrique de contact.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)