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1. (WO2008085405) PROCÉDÉ DE RÉDUCTION D'UNE CONTAMINATION PAR PARTICULES POUR DES IMPLANTEURS IONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/085405    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/026150
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 20.12.2007
CIB :
H01J 37/08 (2006.01), H01J 37/248 (2006.01), H01J 37/302 (2006.01)
Déposants : AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 108 Cherry Hill Drive, Beverly, MA 01915 (US) (Tous Sauf US).
YONGZHANG, Huang [CN/US]; (US) (US Seulement).
WEIGUO, Que [CN/US]; (US) (US Seulement).
JINCHENG, Zhang [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : YONGZHANG, Huang; (US).
WEIGUO, Que; (US).
JINCHENG, Zhang; (US)
Données relatives à la priorité :
11/648,979 03.01.2007 US
Titre (EN) METHOD OF REDUCING PARTICLE CONTAMINATION FOR ION IMPLANTERS
(FR) PROCÉDÉ DE RÉDUCTION D'UNE CONTAMINATION PAR PARTICULES POUR DES IMPLANTEURS IONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is directed to a beam control circuit and method used to minimize particle contamination in an ion implantation system by reducing the duty factor of the ion beam. In one embodiment the beam control circuit comprises a high voltage switch connected in series with a power supply and an ion source portion of the ion implantation system, wherein the switch is operable to interrupt or reestablish a connection between the power supply and an electrode of the ion source including electrodes for plasma production. The beam control circuit also comprises a switch controller operable to control the duty factor of the ion beam by controlling the switch to close before a start of ion implantation and to open after a completion of implantation or at other times when the beam is not needed, thereby minimizing beam duty and particle contamination. The beam control technique may be applied to wafer doping implantation and duty factor reduction. Protection circuits for the high voltage switch absorb energy from reactive components and clamp any overvoltages.
(FR)La présente invention porte sur un circuit de commande du faisceau et sur un procédé utilisé pour réduire au minimum une contamination par particules dans un système d'implantation ionique par la réduction du facteur d'utilisation du faisceau ionique. Dans un mode de réalisation, le circuit de commande du faisceau comporte un commutateur haute tension connecté en série à une alimentation électrique et une partie de source ionique du système d'implantation ionique, le commutateur étant actionnable pour interrompre ou rétablir une connexion entre l'alimentation électrique et une électrode de la source ionique comprenant des électrodes pour une production de plasma. Le circuit de commande du faisceau comporte également un dispositif de commande du commutateur actionnable pour commander le facteur d'utilisation du faisceau ionique par la commande de fermeture du commutateur avant un début d'implantation ionique et d'ouverture après une fin d'implantation ou à d'autres moments lorsque le faisceau n'est pas nécessaire, réduisant ainsi au minimum l'utilisation du faisceau et la contamination par particules. La technique de commande du faisceau peut être appliquée à une implantation de dopage de tranche et à une réduction de facteur d'utilisation. Des circuits de protection pour le commutateur haute tension absorbent l'énergie provenant des composants réactifs et bloquent toute surtension.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)