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1. (WO2008085255) PROGRAMMATION DE CELLULES DE MÉMOIRE MULTINIVEAU NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/085255    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/025458
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 13.12.2007
CIB :
G11C 16/04 (2006.01), G11C 16/12 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S Federal Way, Boise, ID 83716-9632 (US) (Tous Sauf US).
ARITOME, Seiichi [JP/--]; (TW) (US Seulement)
Inventeurs : ARITOME, Seiichi; (TW)
Mandataire : BROOKS, Edward, J., III; BROOKS, CAMERON & HUEBSCH, PLLC, 1221 Nicollet Avenue, Suite 500, Minneapolis, MN 55403 (US)
Données relatives à la priorité :
11/646,815 28.12.2006 US
Titre (EN) NON-VOLATILE MULTILEVEL MEMORY CELL PROGRAMMING
(FR) PROGRAMMATION DE CELLULES DE MÉMOIRE MULTINIVEAU NON VOLATILE
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the present disclosure provide methods, devices, modules, and systems for programming an array of non- volatile multilevel memory cells to a number of threshold voltage ranges. One method includes programming a lower page of a first wordline cell to increase a threshold voltage (Vt) of the first wordline cell to a first Vt within a lowermost Vt range. The method includes programming a lower page of a second wordline cell prior to programming an upper page of the first wordline cell. The method includes programming the upper page of the first wordline cell such that the first Vt is increased to a second Vt, wherein the second Vt is within a Vt range which is then a lowermost Vt range and is positive.
(FR)Des modes de réalisation de l'invention concernent des procédés, des dispositifs, des modules et des systèmes de programmation d'un réseau de cellules de mémoire multiniveau non volatile selon un certain nombres de plages de tension de seuil. Un procédé consiste: à programmer une page inférieure d'une première cellule de canal mot pour augmenter une tension de seuil (Vt) de la première cellule de canal mot dans une plage Vt inférieure; à programmer une page inférieure d'une deuxième cellule de canal mot avant de programmer une page supérieure de la première cellule de canal mot; à programmer la page supérieure de la première cellule de canal mot de manière à porter la première tension de seuil (Vt) à la seconde tension de seuil (Vt), la seconde Vt se situant dans une plage Vt inférieure et positive.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)