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1. (WO2008085254) PROGRAMMATION DE CELLULES DE MÉMOIRE MULTINIVEAU NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/085254    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/025457
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 13.12.2007
CIB :
G11C 16/34 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S Federal Way, Boise, ID 83716-9632 (US) (Tous Sauf US).
ARITOME, Seiichi [JP/--]; (TW) (US Seulement)
Inventeurs : ARITOME, Seiichi; (TW)
Mandataire : BROOK, Edward, J., III; BROOKS, CAMERON & HUEBSCH, PLLC, 1221 Nicollet Avenue, Suite 500, Minneapolis, MN 55403, (US)
Données relatives à la priorité :
11/646,658 28.12.2006 US
Titre (EN) NON-VOLATILE MULTILEVEL MEMORY CELL PROGRAMMING
(FR) PROGRAMMATION DE CELLULES DE MÉMOIRE MULTINIVEAU NON VOLATILE
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure includes methods, devices, modules, and systems for programming multilevel non- volatile memory cells, each cell having a number of lower pages and an upper page,. One method includes programming a first lower page, programming a second lower page, programming a third lower page, programming an upper page, and reprogramming the upper page of a cell.
(FR)L'invention concerne des procédés, des dispositifs, des modules et des systèmes de programmation de cellules de mémoire non volatile multiniveau, chacune de ces cellules contenant un certain nombre de pages inférieures ainsi qu'une page supérieure. Un procédé consiste: à programmer une première page inférieure d'une cellule; à programmer une deuxième page inférieure; à programmer une troisième page inférieure; à programmer une page supérieure; et enfin, à programmer la page supérieure de la cellule.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)