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1. (WO2008084999) ANTENNE INTÉGRÉE DE TYPE ANNEAU PARALLÈLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/084999    N° de la demande internationale :    PCT/KR2008/000164
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 10.01.2008
CIB :
H01Q 1/24 (2006.01)
Déposants : E.M.W. ANTENNA CO., LTD. [KR/KR]; 459-24, Gasan-dong, Geumcheon-gu, Seoul 153-803 (KR) (Tous Sauf US).
RYOU, Byung Hoon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SUNG, Won Mo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Jae Young [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : RYOU, Byung Hoon; (KR).
SUNG, Won Mo; (KR).
LEE, Jae Young; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2007-0003272 11.01.2007 KR
Titre (EN) INTEGRATED ANTENNA OF PARALLEL-RING TYPE
(FR) ANTENNE INTÉGRÉE DE TYPE ANNEAU PARALLÈLE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a parallel-ring integrated antenna. The integrated antenna in accordance with the present invention includes a parallel ring including a plurality of rings and a central conductor, and a high dielectric body coupled to the parallel ring. Return loss can be changed depending on a thickness of the ring, a first diameter, i.e., a diameter of the ring, a distance between the rings or a second diameter, i.e., a diameter of a central conductor. Further, the high dielectric body has a groove formed therein to correspond to an external shape of the parallel ring. The parallel ring is coupled to the high dielectric body through the groove. Thus, the integrated antenna of the present invention can obtain a maximum gain and active performance while maintaining the size of an existing chip antenna and can have its size and structure changed easily and conveniently by combining the high dielectric body with the parallel ring.
(FR)L'invention concerne une antenne intégrée à anneau parallèle. Cette antenne intégrée comprend un anneau parallèle comprenant une pluralité d'anneaux parallèles et un conducteur central, ainsi qu'un corps présentant un coefficient diélectrique élevé relié à l'anneau parallèle. L'affaiblissement des courants réfléchis peut être transformé en fonction de l'épaisseur de l'anneau, d'un premier diamètre, notamment le diamètre de l'anneau, et de la distance entre les anneaux et un second diamètre, notamment le diamètre du conducteur central. En outre, le corps présentant une constante diélectrique élevée présente une rainure formée à l'intérieur de celui-ci, laquelle rainure correspondant à la forme extérieure de l'anneau parallèle. L'anneau parallèle est relié au corps présentant une constante diélectrique élevée par la rainure. Ainsi, l'antenne intégrée de l'invention permet d'obtenir un gain et une performance active maximum tout en gardant la taille d'une antenne à puce existante. Cette antenne peut présenter une taille et une structure pouvant être modifiées de manière facile et pratique, par combinaison du corps présentant une constante diélectrique élevée et de l'anneau parallèle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)