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1. (WO2008084950) ÉLECTRODE OHMIQUE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/084950    N° de la demande internationale :    PCT/KR2008/000091
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 08.01.2008
CIB :
H01L 33/40 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. [KR/KR]; 1 Block 36, 727-5, Wonsi-Dong, Danwon-Gu, Ansan 425-851 (KR) (Tous Sauf US).
POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION [KR/KR]; Pohang Univ. of Science & Technology, Hyoja-Dong, Nam-Gu, Pohang 790-784 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Jong Lam [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SON, Jun Ho [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Jong Lam; (KR).
SON, Jun Ho; (KR)
Mandataire : NAM, Seung-Hee; 12F, Seo-jeon Bldg., 1330-9, Seocho-Dong, Seocho-Gu, Seoul 137-858 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2007-0002085 08.01.2007 KR
10-2007-0062468 25.06.2007 KR
Titre (EN) OHMIC ELECTRODE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
(FR) ÉLECTRODE OHMIQUE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE CELLE-CI
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an ohmic electrode disposed on a semiconductor layer of an LED and a method for forming the same. The ohmic electrode includes: a reflective layer formed of Ag alloy, wherein a portion of particles of the reflective layer are diffused into an interface between the ohmic electrode and the semiconductor layer and metallized at the interface; and a protective layer disposed on the reflective layer to inhibit an out-diffusion of the reflective layer. Because the portion of Ag particles are metallized at the interface between the ohmic electrode and the semiconductor layer during thermal annealing, the ohmic electrode has a high bonding strength and a low contact resistance. Further, because the protective layer inhibits an excessive out-diffusion of Ag particles during thermal annealing, the ohmic electrode has an excellent thermal stability while maintaining a high light reflectance of Ag.
(FR)L'invention concerne une électrode omhique disposée sur une couche semi-conductrice d'une DEL ainsi qu'un procédé de formation de ladite électrode. L'électrode omhique comprend: une couche réfléchissante constituée d'alliage d'Ag, une partie des particules de la couche réfléchissante étant diffusée dans une interface entre l'électrode ohmique et la couche semi-conductrice et métallisée au niveau de l'interface; et une couche protectrice disposée sur la couche réfléchissante afin d'empêcher une diffusion vers l'extérieur de la couche réfléchissante. Etant donné que la partie des particules d'Ag est métallisée au niveau de l'interface entre l'électrode ohmique et la couche semi-conductrice au cours du recuit thermique, l'électrode ohmique présente une force d'adhérence élevée et une faible résistance de contact. En outre, comme la couche protectrice empêche une diffusion vers l'extérieur, excessive, de particules d'Ag au cours d'un recuit thermique, l'électrode omhique présente une excellente stabilité thermique tout en conservant un facteur de réflexion de lumière élevé d'Ag.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)