WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008084822) DISPOSITIF LIQUIDE, DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF LIQUIDE, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE D'IMAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/084822    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/050165
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 10.01.2008
CIB :
G02B 26/08 (2006.01), G02B 3/14 (2006.01), H02N 13/00 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP) (Tous Sauf US).
TAKAHASHI, Kenichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKAHASHI, Kenichi; (JP)
Mandataire : INAMOTO, Yoshio; 711 Building 4F, 11-18, Nishi-Shinjuku 7-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1600023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-002552 10.01.2007 JP
2007-002553 10.01.2007 JP
Titre (EN) LIQUID DEVICE, LIQUID DEVICE MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD, AND IMAGE DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF LIQUIDE, DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF LIQUIDE, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE D'IMAGE
(JA) 液体デバイス、液体デバイス製造装置および方法、並びに画像表示装置
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a liquid device, which can realize an enhanced capacitance and, at the same time, can suppress breakdown, and liquid device manufacturing apparatus and method and an image display device. An insulating film (43) is additionally provided between a lower electrode (42) and a water repellent film (44). The insulating film (43) has a higher level of insulating properties and a higher level of permittivity as compared with the water repellent film (44) to compensate for insulating strength and to suppress breakdown. The insulating film (43) is preferably formed of a material having a high level of insulating properties and a high level of permittivity, and examples of such materials include polymer materials and inorganic materials. For example, SOG is a silica-type inorganic coating material, and a solution thereof is coated, for example, by spin coating to form a film which is then fired at a relatively low temperature for vitrification. The present invention can be applied to liquid devices.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif liquide capable d'augmenter la capacité tout en supprimant le claquage, ainsi qu'à un dispositif et un procédé de fabrication du dispositif liquide et à un dispositif d'affichage d'image. Un film isolant (43) est prévu en outre entre une électrode inférieure (42) et un film hydrofuge (44). Le film isolant (43) possède des propriétés d'isolement et une permittivité d'un niveau supérieur à celui du film hydrofuge (44), afin de compenser la résistance d'isolement et de supprimer le claquage. Le film isolant (43) est formé de préférence d'un matériau ayant des propriétés d'isolement de haut niveau et une permittivité de haut niveau, de tels matériaux comprenant, par exemple, les polymères et les matériaux inorganiques. Le SOG, en l'occurrence, est un matériau de revêtement inorganique du type silice, et on applique une solution de celui-ci, par exemple par centrifugation, pour former un film que l'on cuit ensuite à une température relativement basse pour le vitrifier. La présente invention peut s'appliquer à des dispositifs liquides.
(JA) 本発明は、高静電容量化を実現するとともに、絶縁破壊を抑制することができるようにする液体デバイス、液体デバイス製造装置および方法、並びに画像表示装置に関する。下部電極42と撥水膜44との間に、撥水膜44よりも絶縁性が高く、かつ、誘電率の高い絶縁膜43を新たに形成することにより、絶縁強度を補い、絶縁破壊を抑制する。絶縁膜43の素材は、より高絶縁性かつ高誘電率を有するものが望ましく、例えば、高分子系材料ならびに無機系材料が挙げられる。例えば、SOGはシリカ系の無機コーティング材であり、スピンコート法などでその溶液を被覆、成膜させ、比較的低温で焼成することによりガラス化させるものである。本発明は、液体デバイスに適用することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)