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1. (WO2008084723) PARTIE HAUTE FRÉQUENCE ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/084723    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/075199
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 27.12.2007
CIB :
H04B 1/40 (2006.01)
Déposants : HITACHI METALS, LTD. [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058614 (JP) (Tous Sauf US).
KEMMOCHI, Shigeru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKAMACHI, Keisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAGIWARA, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KEMMOCHI, Shigeru; (JP).
FUKAMACHI, Keisuke; (JP).
HAGIWARA, Kazuhiro; (JP)
Mandataire : TAKAISHI, Kitsuma; Kagurazaka FN Bldg. 5F 67, Kagurazaka 6-chome Shinjuku-ku, Tokyo 162-0825 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-353757 28.12.2006 JP
Titre (EN) HIGH-FREQUENCY PART AND COMMUNICATION DEVICE
(FR) PARTIE HAUTE FRÉQUENCE ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA) 高周波部品及び通信装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a high-frequency part including a high-frequency signal processing circuit arranged on a layered substrate formed by a plurality of dielectric layers having a conductor pattern. The high-frequency signal processing circuit includes an amplification circuit and a switch circuit. A terminal groups including an input terminal and an output terminal of the high-frequency signal, a power terminal of the amplification circuit, and a power terminal of the switch circuit is formed on one of the main surfaces of the layered substrate. The power line having one end connected to the power terminal of the amplification circuit and the power line having one end connected to the power terminal of the switch circuit are formed on one dielectric layer so as to form a power line layer. A first ground electrode is arranged on the main surface concerning the power line layer. The first ground electrode is overlapped with at least a part of the power lines in the layered direction. A second ground electrode is arranged at the side opposite to the first ground electrode concerning the power line layer. The second ground electrode is overlapped by at least a part of the power line in the layered direction. The high-frequency signal processing circuit is arranged at the side opposite to the power line layer concerning the second ground electrode.
(FR)L'invention concerne une partie haute fréquence comprenant un circuit de traitement de signal haute fréquence disposé sur un substrat en couches formé par une pluralité de couches diélectriques ayant un motif conducteur. Le circuit de traitement de signal haute fréquence comprend un circuit d'amplification et un circuit de commutation. Des groupes de bornes comprenant une borne d'entrée et une borne de sortie du signal haute fréquence, une borne d'alimentation du circuit d'amplification et une borne d'alimentation du circuit de commutation sont formées sur l'une des surfaces principales du substrat en couches. La ligne d'alimentation ayant une extrémité connectée à la borne d'alimentation du circuit d'amplification et la ligne d'alimentation ayant une extrémité connectée à la borne d'alimentation du circuit de commutation sont formées sur une couche diélectrique de façon à former une couche de ligne d'alimentation. Une première électrode de masse est disposée sur la surface principale par rapport à la couche de ligne d'alimentation. La première électrode de masse est chevauchée par au moins une partie des lignes d'alimentation dans la direction de disposition en couches. Une seconde électrode de masse est disposée au niveau du côté opposé de la première électrode de masse par rapport à la couche de ligne d'alimentation. La seconde électrode de masse est chevauchée par au moins une partie de la ligne d'alimentation dans la direction de disposition en couches. Le circuit de traitement de signal haute fréquence est disposé au niveau du côté opposé à la couche de ligne d'alimentation par rapport à la seconde électrode de masse.
(JA) 導体パターンを有する複数の誘電体層からなる積層基板に高周波信号処理回路を設けた高周波部品であって、前記高周波信号処理回路は増幅回路及びスイッチ回路を有し、高周波信号の入力端子及び出力端子、及び増幅回路の電源端子及びスイッチ回路の電源端子を含む端子群が積層基板の一方の主面に形成されており、増幅回路の電源端子に一端が接続された電源ラインとスイッチ回路の電源端子に一端が接続された電源ラインが一つの誘電体層に形成されて電源ライン層をなし、電源ライン層に関して主面側に第一のグランド電極が配置され、第一のグランド電極は積層方向に電源ラインの少なくとも一部と重なり、電源ライン層に関して第一のグランド電極と反対側に第二のグランド電極が配置され、第二のグランド電極は積層方向に電源ラインの少なくとも一部と重なり、高周波信号処理回路は第二のグランド電極に関して電源ライン層と反対側に配置されている高周波部品。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)