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1. (WO2008084650) PHOTOCAPTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/084650    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/074587
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 14.12.2007
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0392 (2006.01), H01L 31/113 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : CASIO COMPUTER CO., LTD. [JP/JP]; 6-2, Hon-machi 1-chome, Shibuya-ku, Tokyo, 1518543 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUMOTO, Hiroshi [JP/JP]; (US Seulement).
YAMAGUCHI, Ikuhiro [JP/JP]; (US Seulement).
KOBAYASHI, Hirokazu [JP/JP]; (US Seulement)
Inventeurs : MATSUMOTO, Hiroshi; .
YAMAGUCHI, Ikuhiro; .
KOBAYASHI, Hirokazu;
Mandataire : SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 1-12-9, Toranomon, Minato-ku Tokyo, 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-350769 27.12.2006 JP
Titre (EN) PHOTOSENSOR
(FR) PHOTOCAPTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A photosensor includes a semiconductor thin film (5) for photoelectric conversion having a first side portion and a second side portion. A source electrode (9) extends in the longitudinal direction of the semiconductor thin film (5) and has a side edge portion (9b, 9c) that overlaps the first side portion of the semiconductor thin film (5), and a drain electrode (10) extends in the longitudinal direction and has a side edge portion (10b, 10c) that overlaps the second side portion of the semiconductor thin film (5). At least one of the side edge portions (9b, 9c, 10b, 10c) of the source and drain electrodes (9, 10) has protruding portions (9b, 10b) which are arranged along the longitudinal direction and which overlap the semiconductor thin film (5), and notched portions (9c, 10c) formed between the protruding portions (9b, 10b). An ohmic contact layer (7, 8) is formed between the semiconductor thin film (5) and the protruding portions (9b, 10b) of the at least one of the side edge portions (9b, 9c, 10b, 10c) of the source and drain electrodes (9, 10).
(FR)L'invention concerne un photocapteur comprenant un film mince semi-conducteur (5) destiné à une conversion photoélectrique et présentant une première partie latérale et une seconde partie latérale. Une électrode source (9) s'étend dans la direction longitudinale du film mince semi-conducteur (5) et présente une partie de bord latéral (9b, 9c) chevauchant la première partie latérale du film mince semi-conducteur (5), et une électrode formant drain (10) s'étendant dans ladite direction longitudinale et présentant une partie de bord latéral (10b, 10c) chevauchant la seconde partie latérale du film mince semi-conducteur (5). Au moins une partie de bord latéral (9b, 9c, 10b, 10c) des électrodes formant source et drain (9, 10) présente des parties en saillie (9b, 10b) agencées le long de ladite direction longitudinale et chevauchant le film mince semi-conducteur (5), et des parties en retrait (9c, 10c) formées entre les parties en saillie (9b, 10b). Une couche de contact ohmique (7, 8) est formée entre le film mince semi-conducteur (5) et les parties en saillie (9b, 10b) de ladite partie de bord latéral (9b, 9c, 10b, 10c) des électrodes formant source et drain (9, 10).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)