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1. (WO2008084639) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM MULTICOUCHES ET APPAREIL DE FORMATION D'UN FILM MULTICOUCHES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/084639    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/074479
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 20.12.2007
CIB :
C23C 14/04 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 41/316 (2013.01)
Déposants : ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (Tous Sauf US).
KIMURA, Isao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
JINBO, Takehito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIKUCHI, Shin [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIOKA, Yutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUU, Koukou [CN/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KIMURA, Isao; (JP).
JINBO, Takehito; (JP).
KIKUCHI, Shin; (JP).
NISHIOKA, Yutaka; (JP).
SUU, Koukou; (JP)
Mandataire : ONDA, Hironori; 12-1, Ohmiya-cho 2-chome, Gifu-shi, Gifu 5008731 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-001354 09.01.2007 JP
Titre (EN) MULTILAYER FILM FORMING METHOD AND MULTILAYER FILM FORMING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM MULTICOUCHES ET APPAREIL DE FORMATION D'UN FILM MULTICOUCHES
(JA) 多層膜形成方法及び多層膜形成装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a multilayer film forming method for forming a multilayer, which includes a composite oxide layer and has a desired element shape, without using etching process. The method includes a step of positioning a first mask (30A) above a substrate (S); a step of sputtering an adhesive layer target (T1) and a lower electrode layer target (T2) and forming an adhesive layer (36) and a lower electrode layer (37) on the substrate by using the first mask; a step of positioning a second mask (30B) formed of a ceramic material above the lower electrode layer; a step of sputtering an oxide layer target (T3) and laminating a composite oxide layer (38) on the lower electrode layer by using the second mask; a step of positioning a third mask (30C) above the composite oxide layer; and a step of sputtering the upper electrode layer target (T4) and laminating an upper electrode layer (39) on the composite oxide layer by using the third mask.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un film multicouches pour former un multicouche qui comprend une couche d'oxyde composite et présente une forme d'élément désirée, sans utiliser de procédé de gravure. Le procédé comporte une étape de positionnement d'un premier masque (30A) au-dessus d'un substrat (S) ; une étape de pulvérisation cathodique d'une cible de couche adhésive (T1) et d'une cible de couche d'électrode inférieure (T2) ainsi qu'une étape de formation d'une couche adhésive (36) et d'une couche d'électrode inférieure (37) sur le substrat à l'aide du premier masque ; une étape de positionnement d'un second masque (30B) formé d'une matière céramique au-dessus de la couche d'électrode inférieure ; une étape de pulvérisation cathodique d'une cible de couche d'oxyde (T3) et de lamination d'une couche d'oxyde composite (38) sur la couche d'électrode inférieure à l'aide du second masque ; une étape de positionnement d'un troisième masque (30C) au-dessus de la couche d'oxyde composite ; et une étape de pulvérisation cathodique de la cible de couche d'électrode supérieure (T4) et de lamination d'une couche d'électrode supérieure (39) sur la couche d'oxyde composite à l'aide du troisième masque.
(JA) エッチング処理を利用することなく、複合酸化物層を含む多層膜を所望の素子形状に形成可能な多層膜形成方法。当該方法は、第1マスク(30A)を基板(S)の上方に位置させること、密着層ターゲット(T1)及び下部電極層ターゲット(T2)をスパッタし、前記第1マスクを用いて密着層(36)及び下部電極層(37)を前記基板上方に成膜すること、セラミック材料によって形成された第2マスク(30B)を前記下部電極層の上方に位置させること、酸化物層ターゲット(T3)をスパッタし、前記下部電極層上に前記第2マスクを用いて複合酸化物層(38)を積層すること、第3マスク(30C)を前記複合酸化物層の上方に位置させること、上部電極層ターゲット(T4)をスパッタし、前記複合酸化物層上に前記第3マスクを用いて上部電極層(39)を積層することを含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)