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1. (WO2008084593) DÉTECTEUR DE TENSION POUR ÉLÉMENTS DE STOCKAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/084593    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/071465
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 05.11.2007
CIB :
G01R 19/00 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
YOSHIDA, Koji; (US Seulement).
ODAJIMA, Yoshimitu; (US Seulement).
HANDA, Hiroyuki; (US Seulement)
Inventeurs : YOSHIDA, Koji; .
ODAJIMA, Yoshimitu; .
HANDA, Hiroyuki;
Mandataire : IWAHASHI, Fumio; c/o Panasonic Corporation 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-003019 11.01.2007 JP
2007-122080 07.05.2007 JP
Titre (EN) VOLTAGE DETECTOR FOR STORAGE ELEMENT
(FR) DÉTECTEUR DE TENSION POUR ÉLÉMENTS DE STOCKAGE
(JA) 蓄電素子の電圧検出器
Abrégé : front page image
(EN)A voltage detector for storage elements comprises a first pnp transistor the emitter terminal of which is connected to a negative electrode and the base and collector terminals of which are connected, a voltage-to-current conversion element one end of which is connected to a positive electrode, a second pnp transistor the emitter terminal of which is connected to the other end of the voltage-to-current conversion element and the base terminal of which is connected to the base terminal of the first pnp transistor (25), a current source which is connected to the collector terminal of the first pnp transistor and draws a current from the collector terminal, a current detecting circuit which is connected to the collector terminal of the second pnp transistor and detects the collector current, and a voltage output circuit for outputting the voltage between the positive and negative electrodes from the output of the current detecting circuit. With this, the voltage detector detects the voltage between the positive and negative electrodes each of which is biased to a positive voltage. This makes it possible to provide a high-precision voltage detector usable for storage elements and capable of detecting the voltage across a storage element at high speed.
(FR)L'invention porte sur un détecteur de tension pour éléments de stockage comprenant: un premier transistor pnp dont la borne émettrice est connecté à une électrode négative et dont la base et les bornes du collecteur sont connectés; un élément de conversion tension/courant dont une extrémité est connectée à une électrode positive; un deuxième transistor pnp dont la borne émettrice est connecté à l'autre extrémité de l'élément de conversion tension/courant et dont la borne de base est connectée à la borne de base du premier transistor pnp (25); une source de courant connectée à la borne du collecteur du premier transistor pnp et qui en tire lecourant; un circuit de détection de courant connecté à la borne du collecteur du deuxième transistor pnp et qui détecte le courant du collecteur; et un circuit produisant une tension entre les électrodes positives et négatives de sortie du circuit de détection de courant. On obtient ainsi un détecteur de tension de haute précision détectant la tension entre les électrodes positives et négatives dont chacune est polarisée à une tension positive, utilisable avec des éléments de stockage, et capable de détecter à grande vitesse la tension aux bornes de ces éléments.
(JA)正電極および負電極を有し、いずれも正の電圧にバイアスされた蓄電素子に対し、エミッタ端子を負電極に接続しベース端子とコレクタ端子を接続した第1pnp型トランジスタと、一端を正電極に接続した電圧電流変換素子と、エミッタ端子を電圧電流変換素子の他端に接続しベース端子を第1pnp型トランジスタ25のベース端子に接続した第2pnp型トランジスタと、第1pnp型トランジスタのコレクタ端子に接続され前記コレクタ端子から電流を引く電流源と、第2pnp型トランジスタのコレクタ端子に接続されコレクタ電流を検出する電流検出回路と、電流検出回路の出力から正電極と負電極の間の電圧を出力する電圧出力回路とを有する構成とした。高速に蓄電素子の両端電圧を検出することができる高精度な蓄電素子の電圧検出器を提供できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)