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1. (WO2008084537) CANON À ÉLECTRONS ET DISPOSITIF D'EXPOSITION DE FAISCEAU D'ÉLECTRONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/084537    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/050214
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 11.01.2007
CIB :
H01J 37/063 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : ADVANTEST CORPORATION [JP/JP]; 32-1, Asahi-cho 1-chome, Nerima-ku, Tokyo 1790071 (JP) (Tous Sauf US).
DENKI KAGAKU KOGYO KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038338 (JP) (Tous Sauf US).
YASUDA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HARAGUCHI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TERUI, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAWA, Seiichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NONOGAKI, Ryozo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YASUDA, Hiroshi; (JP).
HARAGUCHI, Takeshi; (JP).
TERUI, Yoshinori; (JP).
SAKAWA, Seiichi; (JP).
NONOGAKI, Ryozo; (JP)
Mandataire : OKAMOTO, Keizo; OKAMOTO PATENT OFFICE Yamanishi Bldg., 4F 11-7, Nihonbashi Ningyo-cho 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030013 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ELECTRON GUN AND ELECTRON BEAM EXPOSURE DEVICE
(FR) CANON À ÉLECTRONS ET DISPOSITIF D'EXPOSITION DE FAISCEAU D'ÉLECTRONS
(JA) 電子銃及び電子ビーム露光装置
Abrégé : front page image
(EN)An electron gun in which luminance is enhanced, and an electron beam exposure device in which throughput is enhanced by using such electron gun. In an electron gun comprises an electron source (20) of lanthanum hexaboride (LaB6) or cerium hexaboride (CeB6), a suppressor electrode (24) and an acceleration electrode (21). The distal end of the electron source is arranged between the suppressor electrode and the acceleration electrode, the electron source has an electron discharge region and an electron discharge limitation region wherein the electron discharge limitation region is the electron source side face other than the electron dischargesurface at the distal end of the electron source and covered with carbon (30). The electron source may be formed in column-shape having a diameter of 10-100 μm at the distal end which projects 2.5 mm or more from the upper surface of the suppressor electrode, and it may be arranged such that the distance between the distal end of the electron source and the acceleration electrode is 5 mm or less.
(FR)La présente invention concerne un canon à électrons dans lequel la luminance est améliorée, et un dispositif d'exposition de faisceau d'électrons dans lequel la production est améliorée en utilisant un tel canon à électrons. Le canon à électrons comprend une source d'électrons (20) d'hexaborure de lanthane (LaB6) ou d'hexaborure de cérium (CeB6), une électrode suppressive (24) et une électrode d'accélération (21). L'extrémité distale de la source d'électrons est placée entre l'électrode suppressive et celle d'accélération, la source d'électrons comprend une région de décharge d'électrons et une région de limitation de cette décharge sachant que cette dernière région est la face latérale de la source d'électrons autre que la surface de décharge d'électrons à l'extrémité distale de la source d'électrons et couverte de carbone (30). La source d'électrons peut être formée en forme de colonne ayant un diamètre de 10-100 &mgr;m à l'extrémité distale qui fait saillie à 2,5 mm ou plus à partir de la surface supérieure de l'électrode suppressive, et elle peut être disposée de sorte que la distance entre l'extrémité distale de la source d'électrons et l'électrode d'accélération soit de 5 mm ou moins.
(JA)本願は輝度を向上した電子銃とそれを用いることにより、スループットを向上した電子ビーム露光装置に関するものである。 六ホウ化ランタン(LaB6)又は六ホウ化セリウム(CeB6)からなる電子源(20)と、サプレッサ電極(24)と加速電極(21)からなる電子銃において、前記電子源の先端部が前記サプレッサ電極と前記加速電極との間に配置され、前記電子源は、電子放出領域と電子放出制限領域を有し、前記電子放出制限領域は、前記電子源先端部の電子放出面以外の該電子源側面であって、カーボン(30)で覆われている。前記電子源は、その先端部が直径10μm~100μmの円柱形状からなるようにしても良く、前記電子源の先端部が前記サプレッサ電極上面から2.5mm以上突き出していて、電子源先端と加速電極との距離が5mm以下に配置されるようにしても良い。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)