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1. (WO2008084349) PROCÉDÉ ET AGENCEMENT DE CIRCUIT POUR COMMANDER UNE LAMPE À DÉCHARGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/084349    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/055148
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 17.12.2007
CIB :
H05B 41/282 (2006.01), H05B 41/285 (2006.01), H02M 1/38 (2007.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Einhdoven (NL) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, SV, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY & STANDARDS GMBH [DE/DE]; Lübeckertordamm 5, 20099 Hamburg (DE) (DE only).
GREUEL, Georg [DE/DE]; (NL) (US Seulement).
SCHIENE, Wolfgang, S. [DE/DE]; (NL) (US Seulement).
BLEUKX, Marc, M., A. [BE/BE]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : GREUEL, Georg; (NL).
SCHIENE, Wolfgang, S.; (NL).
BLEUKX, Marc, M., A.; (NL)
Mandataire : BEKKERS, Joost, J., J.; High Tech Campus 44, NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
07100322.2 10.01.2007 EP
Titre (EN) METHOD AND CIRCUIT ARRANGEMENT FOR DRIVING A DISCHARGE LAMP
(FR) PROCÉDÉ ET AGENCEMENT DE CIRCUIT POUR COMMANDER UNE LAMPE À DÉCHARGE
Abrégé : front page image
(EN)A method and circuit arrangement for driving a gas discharge lamp by means of at least one half-bridge for commutating a supplied DC power to a bipolar lamp current is disclosed, wherein the half-bridge comprises two series-connected semiconductor switches (T1, T2) with intrinsic body diodes, like transistor switches and especially field effect 5 transistor (FET) switches like MOSFET (metal oxide semiconductor FET) switches. The switching on of one of the semiconductor switches (T1; T2) is inhibited until the body diode of the other semiconductor switch (T2; T1) is in an at least substantially non-conduct ing state, so that a destruction of the semiconductor switches due to a short circuiting of the DC power supply (1) via the conducting body diode (corresponding to its high recovery time) and 10 via the switched-on semiconductor switch is prevented.
(FR)L'invention concerne un procédé et un agencement de circuit pour commander une lampe à décharge de gaz au moyen d'au moins un demi-pont pour commuter une puissance en courant continu alimenté en un courant de lampe bipolaire, le demi-pont comprenant deux commutateurs semi-conducteurs connectés en série (T1, T2) avec des diodes de substrat intrinsèque, de type commutateurs à transistor, et notamment commutateurs à transistor à effet de champ (FET) de type commutateurs MOSFET (transistor à effet de champ FET métal-oxyde semi-conducteur). La commutation sur l'un des commutateurs semi-conducteurs (T1; T2) est empêchée jusqu'à ce que la diode de substrat de l'autre commutateur semi-conducteur (T2; T1) soit dans un état au moins sensiblement non conducteur, de telle sorte qu'une destruction des commutateurs semi-conducteurs en raison d'un court-circuit de l'alimentation électrique en courant continu (1) par la diode de substrat conducteur (correspondant à son temps de récupération élevé) et par le commutateur semi-conducteur activé est empêchée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)