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1. (WO2008084245) DISPOSITIF MICROFLUIDIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/084245    N° de la demande internationale :    PCT/GB2008/000094
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 11.01.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.04.2009    
CIB :
B01L 3/00 (2006.01), B01F 13/00 (2006.01)
Déposants : BRUNEL UNIVERSITY [GB/GB]; Uxbridge, Middlesex UB8 3PH (GB) (Tous Sauf US).
BALACHANDRAN, Wamadeva [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
AZIMI, Sayad Mohamad [IR/GB]; (GB) (US Seulement).
AHERN, Jeremy [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
ZOLGHARNI, Massoud [IR/GB]; (GB) (US Seulement).
BAHMANYAR, Mohamad Reza [IR/GB]; (GB) (US Seulement).
SLIJEPCEVIC, Predrag [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : BALACHANDRAN, Wamadeva; (GB).
AZIMI, Sayad Mohamad; (GB).
AHERN, Jeremy; (GB).
ZOLGHARNI, Massoud; (GB).
BAHMANYAR, Mohamad Reza; (GB).
SLIJEPCEVIC, Predrag; (GB)
Mandataire : SETNA, Rohan, Piloo; Boult Wade Tennant, Verulam Gardens, 70 Gray's Inn Road, London WC1X 8BT (GB)
Données relatives à la priorité :
0700653.9 12.01.2007 GB
Titre (EN) MICROFLUIDIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF MICROFLUIDIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A microfluidic device comprising; i) an inlet; ii) a first layer comprising at least first and second current carrying structures, wherein the at least first and second current carrying structures each comprise a plurality of teeth, and wherein the teeth of the first and second current carrying structures are optionally offset such that the teeth of the first current carrying structure are positioned between the teeth of the second current carrying structure; iii) a second layer comprising a first microfluidic chamber in fluid communication with the inlet positioned above the at least first and second current carrying structures of the first layer; and iv) a third layer comprising at least third and fourth current carrying structures wherein the at least third and fourth current carrying structures each comprise a plurality of teeth, and wherein the teeth of the third and fourth current carrying structures are optionally offset such that the teeth of the third current carrying structure are positioned between the teeth of the fourth current carrying structure; and wherein the at least third and fourth current carrying structures are positioned in the third layer so as to be above the first microfluidic chamber and such that the teeth of the third current carrying structure are positioned substantially vertically above or offset from the teeth of the first current carrying structure and the teeth of the fourth current carrying structure are positioned substantially vertically above or offset from the teeth of the second current carrying structure; wherein the teeth have a stem having substantially elliptical tip.
(FR)La présente invention concerne un dispositif microfluidique constitué de : i) un orifice d'admission ii) une première couche comprenant au moins une première et une deuxième structure de transport de courant, chacune de ces structures ayant une pluralité de dents, les dents de la première et de la deuxième structure de transport étant éventuellement déportées de sorte que les dents de la première structure de transport de courant sont positionnées entre les dents de la deuxième structure de transport de courant, iii) une deuxième couche comprenant une première chambre microfluidique en communication fluidique avec l'orifice d'admission situé au-dessus d'au moins la première et la deuxième structure de transport de courant de la première couche. Le dispositif comprend enfin iv) une troisième couche comprenant au moins une troisième et une quatrième structure de transport de courant, chacune de ces structures ayant une pluralité de dents, les dents des troisième et quatrième structures de transport de courant étant éventuellement déportées de sorte que les dents de la troisième structure de transport de courant sont positionnées entre les dents de la quatrième structure de transport de courant et les troisième et quatrième structures de transport de courant étant situées dans la troisième couche de manière à se trouver au-dessus de la première chambre microfluidique, les dents de la troisième structure de transport de courant étant positionnées sensiblement verticalement au-dessus ou bien déportées par rapport aux dents de la première structure de transport de courant et les dents de la quatrième structure de transport de courant étant positionnées sensiblement verticalement au-dessus ou bien déportées par rapport aux dents de la deuxième structure de transport de courant, les dents ayant une tige à l'extrémité sensiblement elliptique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)