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1. (WO2008083496) CONVERTISSEUR DE PUISSANCE AVEC CIRCUIT D'AMORTISSEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/083496    N° de la demande internationale :    PCT/CA2008/000054
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 14.01.2008
CIB :
H02M 1/34 (2007.01), H02M 1/42 (2007.01), H02M 3/155 (2006.01), H02M 5/293 (2006.01), H02M 7/217 (2006.01)
Déposants : POWER INTEGRATIONS, INC.; 5245 Hellyer Avenue, San Jose, CA 95138 (US) (Tous Sauf US).
ORR, Raymond, K. [CA/CA]; (CA) (US Seulement)
Inventeurs : ORR, Raymond, K.; (CA)
Mandataire : SMART & BIGGAR; P.O. Box 2999, Station D, 900 - 55 Metcalfe Street, Ottawa, Ontario K1P 5Y6 (CA)
Données relatives à la priorité :
11/652,613 12.01.2007 US
Titre (EN) POWER CONVERTER WITH SNUBBER
(FR) CONVERTISSEUR DE PUISSANCE AVEC CIRCUIT D'AMORTISSEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A buck or boost converter, comprising a first inductor (10), a controlled switch (12), a main diode (14), and an output capacitor (16), includes a snubber circuit to reduce losses. The snubber circuit includes a second inductor (20) in a path in series with the switch and main diode of the converter, a series-connected resistor (22) and diode (24) connected directly in parallel with the second inductor, and a capacitance (28) in parallel with the main diode and which can be constituted partly or entirely by parasitic capacitance of the main diode.
(FR)L'invention concerne un convertisseur abaisseur ou élévateur de tension, comprenant une première bobine d'induction (10), un commutateur commandé (12), une diode principale (14), et un condensateur de sortie (16), et doté d'un circuit d'amortissement pour réduire les pertes. Le circuit d'amortissement comprend une seconde bobine d'induction (20) sur un trajet en série avec le commutateur et la diode principale du convertisseur, une résistance (22) et une diode (24) montées en série, raccordées directement en parallèle à la seconde bobine d'inductance, et une capacité (28) en parallèle avec la diode principale, qui peut être constituée en partie ou entièrement par la capacité parasite de la diode principale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)