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1. (WO2008083378) CIRCUITS INTÉGRÉS ET PROCÉDÉS AVEC DEUX TYPES DE CONDENSATEURS DE DÉCOUPLAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/083378    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/089216
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 31.12.2007
CIB :
H01L 27/04 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 1601 McCarthy Blvd., Milpitas, CA 95035-7932 (US) (Tous Sauf US).
CHEUNG, Brian [US/US]; (US) (US Seulement).
DE MUIZON, Emmanuel [FR/US]; (US Seulement)
Inventeurs : CHEUNG, Brian; (US).
DE MUIZON, Emmanuel;
Mandataire : LAGOWSKI, John, R.; Brinks Hofer Gilson & Lione, P.O. Box 10087, Chicago, IL 60610 (US)
Données relatives à la priorité :
60/921,508 01.01.2007 US
60/934,937 01.01.2007 US
Titre (EN) INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS WITH TWO TYPES OF DECOUPLING CAPACITORS
(FR) CIRCUITS INTÉGRÉS ET PROCÉDÉS AVEC DEUX TYPES DE CONDENSATEURS DE DÉCOUPLAGE
Abrégé : front page image
(EN)Methods and systems for optimal decoupling capacitance in a dual-voltage power-island architecture. In low-voltage areas of the chip, accumulation capacitors of two different types are used for decoupling, depending on whether the capacitor is located in an area which is always-on or an area which is conditionally powered.
(FR)L'invention concerne des procédés et des systèmes pour une capacité de découplage optimale dans une architecture d'îlots de puissance bitension. Dans des zones basse tension de la puce, des condensateurs d'accumulation de deux types différents sont utilisés pour découplage, selon le cas où le condensateur est situé dans une zone toujours active ou dans une zone alimentée de manière conditionnelle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)