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1. (WO2008083180) GÉOMÉTRIE D'UN DISPOSITIF MOS AVEC UNE FAIBLE RÉSISTANCE À L'ÉTAT PASSANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/083180    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/088866
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 26.12.2007
CIB :
H01L 27/06 (2006.01)
Déposants : MARVELL WORLD TRADE LTD. [BB/BB]; L'horizon, Gunsite Road, Brittons Hill, St. Michel, Barbados BB14 027 (BB) (Tous Sauf US).
SUTARDJA, Sehat [US/US]; (US) (US Seulement).
KRISHNAMOORTHY, Ravishanker [IN/SG]; (SG) (US Seulement)
Inventeurs : SUTARDJA, Sehat; (US).
KRISHNAMOORTHY, Ravishanker; (SG)
Mandataire : LeMOND Kevin T.; SCHWABE WILLIAMSON & WYATT. P.C., Pacwest Center, Suite 1900, 1211 SW Fifth Avenue, Portland, Oregon 97204 (US)
Données relatives à la priorité :
60/882,250 28.12.2006 US
11/964,696 26.12.2007 US (IA Considered Withdrawn 28.07.2008)
Titre (EN) GEOMETRY OF MOS DEVICE WITH LOW ON-RESISTANCE
(FR) GÉOMÉTRIE D'UN DISPOSITIF MOS AVEC UNE FAIBLE RÉSISTANCE À L'ÉTAT PASSANT
Abrégé : front page image
(EN)A Metal Oxide Semiconductor (MOS) device formed on a substrate and a method for forming the MOS device. The MOS device includes a drain region, a gate region surrounding the drain region, source regions arranged around the gate region and across from the drain region, and bulk regions arranged around the gate region and separating the source regions. The gate region is formed in a loop around the drain region. In this manner, the on-resistance (Ron) of a MOS device is decreased without also increasing the area of the MOS device.
(FR)L'invention concerne un dispositif métal-oxyde-semi-conducteur (MOS) formé sur un substrat et un procédé de formation du dispositif MOS. Le dispositif MOS comprend une région de drain, une région de grille entourant la région de drain, des régions sources arrangées autour de la région de grille et à travers depuis la région de drain, et des régions de masse arrangées autour de la région de grille et séparant les régions sources. La région de grille a la forme d'une boucle autour de la région de drain. De cette manière, la résistance à l'état passant (Ron) d'un dispositif MOS est réduite sans que l'aire du dispositif MOS n'augmente en même temps.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)