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1. (WO2008083136) DÉTECTION ET COMPENSATION DE LA RÉSISTANCE POUR MÉMOIRE NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/083136    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/088786
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 24.12.2007
CIB :
G11C 16/26 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 601 McCarthy Boulevard, Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
MOKHLESI, Nima [IR/US]; (US) (US Seulement).
CERNEA, Raul-adrian [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MOKHLESI, Nima; (US).
CERNEA, Raul-adrian; (US)
Mandataire : MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus & Deniro, LLP, 575 Market Street, Suite 2500, San Francisco, CA 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
11/617,972 29.12.2006 US
11/617,981 29.12.2006 US
Titre (EN) RESISTANCE SENSING AND COMPENSATION FOR NON-VOLATILE STORAGE
(FR) DÉTECTION ET COMPENSATION DE LA RÉSISTANCE POUR MÉMOIRE NON VOLATILE
Abrégé : front page image
(EN)When reading data from a non-volatile storage element that is part of a group of connected non-volatile storage elements, resistance information is measured for the group. One or more read parameters are set based on the measured resistance information. The read process is then performed using the one or more parameters.
(FR)Au cours de la lecture de données depuis un élément de mémoire non volatile faisant partie d'un groupe d'éléments de mémoire non volatile, des informations de résistance sont mesurées pour le groupe. Un ou plusieurs paramètres de lecture sont réglés en fonction des informations de résistance mesurés. Le processus de lecture est ensuite exécuté au moyen du ou des paramètres.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)