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1. (WO2008083128) AMPLIFICATION À DEUX ÉTAGES UTILISANT UNE ONDE CARRÉE NON LINÉAIRE INTERMÉDIAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/083128    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/088772
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 24.12.2007
CIB :
H03F 3/60 (2006.01), H03F 3/68 (2006.01), H03F 1/02 (2006.01)
Déposants : SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 1195 Atlas Road, Columbia, SC 29209 (US) (Tous Sauf US).
KOUDYMOV, Alexei [RU/US]; (US) (US Seulement).
SHUR, Michael [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KOUDYMOV, Alexei; (US).
SHUR, Michael; (US)
Mandataire : LABATT, John, W.; Hoffman, Warnick & D'alessandro LLC, 75 State Street, 14th Floor, Albany, NY 12207 (US)
Données relatives à la priorité :
60/877,175 26.12.2006 US
60/877,177 26.12.2006 US
11/746,093 09.05.2007 US
Titre (EN) TWO-STAGE AMPLIFICATION USING INTERMEDIATE NON-LINEAR SQUARE WAVE
(FR) AMPLIFICATION À DEUX ÉTAGES UTILISANT UNE ONDE CARRÉE NON LINÉAIRE INTERMÉDIAIRE
Abrégé : front page image
(EN)A two-stage amplifier is provided, which in the first stage, a first amplifier generates a non-linear square wave based on a harmonic input. The non-linear square wave has the same frequency as the harmonic input and is provided as an input to the second stage, in which a second amplifier generates an amplified harmonic output. The first amplifier and/or second amplifier can comprise a group-ll nitride-based Heterostructure Field Effect Transistor (HFET). Additionally, the first amplifier can comprise a multi-harmonic Class F amplifier and the second amplifier can comprise a Class E amplifier.
(FR)La présente invention concerne un amplificateur à deux étages, dans lequel dans le premier étage, le premier amplificateur génère une onde carrée non linéaire basée sur une entrée harmonique. L'onde carrée non linéaire a la même fréquence que l'entrée harmonique et est fournie sous forme d'une entrée au second étage, dans lequel un second amplificateur génère une sortie harmonique amplifiée. Le premier amplificateur et/ou le second amplificateur peut comporter un transistor à effet de champ à hétérostructure à base de nitrure de groupe II (HFET). En outre, le premier amplificateur peut comporter une amplificateur classe F polyharmoniques et le second amplificateur peut comporter un amplificateur de classe E.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)