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1. (WO2008082977) MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE ET PROCÉDÉ DE RÉALISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/082977    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/088080
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 19.12.2007
CIB :
H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC. [US/US]; One New Bond Street, Worcester, Massachusetts 01615-0138 (US) (Tous Sauf US).
SIMPSON, Matthew A. [AU/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SIMPSON, Matthew A.; (US)
Mandataire : BUJOLD, Michael J.; 112 Pleasant Street, Concord, New Hampshire 03301, (US)
Données relatives à la priorité :
60/871,880 26.12.2006 US
Titre (EN) ELECTROSTATIC CHUCK AND METHOD OF FORMING
(FR) MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE ET PROCÉDÉ DE RÉALISATION
Abrégé : front page image
(EN)An electrostatic chuck is disclosed which includes a substrate, a patterned conductive layer overlying the substrate, such that the patterned conductive layer is defining electrode pathways separated by gaps. The electrostatic chuck also includes a resistive layer overlying the patterned conductive layer and a low-k dielectric layer overlying the substrate and disposed in the gaps between the electrode pathways. The low-k dielectric layer includes a material having a different phase than the material of the substrate.
(FR)La présente invention concerne un mandrin électrostatique comprenant un substrat, une couche conductrice présentant un motif, recouvrant le substrat de sorte que la couche conductrice présentant un motif définit des passages d'électrode séparés par des interstices. Le mandrin électrostatique comprend également une couche résistive qui recouvre la couche conductrice présentant un motif, et une couche diélectrique à faible k qui recouvre le substrat et est disposée dans les interstices entre les passages d'électrode. La couche diélectrique à faible k comprend une matière ayant une phase différente de celle de la matière du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)