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1. (WO2008082921) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT ACTIVÉ PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/082921    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/087670
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 14.12.2007
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/50 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538 (US) (Tous Sauf US).
DHINDSA, Rajinder [US/US]; (US) (US Seulement).
HUDSON, Eric [US/US]; (US) (US Seulement).
MARAKHTANOV, Alexei [RU/US]; (US) (US Seulement).
FISCHER, Andreas [DE/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DHINDSA, Rajinder; (US).
HUDSON, Eric; (US).
MARAKHTANOV, Alexei; (US).
FISCHER, Andreas; (US)
Mandataire : NGUYEN, Joseph, A.; P.O. Box 700640, San Jose, CA 95170 (US)
Données relatives à la priorité :
11/618,583 29.12.2006 US
Titre (EN) PLASMA-ENHANCED SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT ACTIVÉ PAR PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for processing a substrate in a capacitively-coupled plasma processing system having a plasma processing chamber and at least an upper electrode and a lower electrode. The substrate is disposed on the lower electrode during plasma processing. The method includes providing at least a first RF signal, which has a first RF frequency, to the lower electrode. The first RF signal couples with a plasma in the plasma processing chamber, thereby inducing an induced RF signal on the upper electrode. The method also includes providing a second RF signal to the upper electrode. The second RF signal also has the first RF frequency. A phase of the second RF signal is offset from a phase of the first RF signal by a value that is less than 10%. The method further includes processing the substrate while the second RF signal is provided to the upper electrode.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil de traitement d'un substrat dans un système de traitement au plasma à couplage capacitif, cet appareil comportant une chambre de traitement au plasma et au moins une électrode supérieure et une électrode inférieure. Le substrat est placé sur l'électrode inférieure au cours du traitement au plasma. Le procédé consiste à générer au moins un premier signal RF, ayant une première fréquence RF, sur l'électrode inférieure. Le premier signal RF est couplé à un plasma dans la chambre de traitement au plasma, ce qui induit un signal RF sur l'électrode supérieure. Le second signal RF possède également la première fréquence RF. Une phase du second signal RF est décalée d'une phase du premier signal RF d'une valeur inférieure à 10 %. Le procédé consiste également à traiter le substrat alors que le second signal RF est transmis à l'électrode supérieure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)