WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008082852) ARCHITECTURE DE CELLULE DE MÉMOIRE À CHANGEMENT DE RÉSISTANCE MULTIBITS ET PROCÉDÉ D'ÉCRITURE CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/082852    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/086780
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 07.12.2007
CIB :
G11C 13/00 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01)
Déposants : SPANSION LLC [US/US]; 915 Deguigne Drive, Mail Stop 250, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (Tous Sauf US).
MASAO, Taguchi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MASAO, Taguchi; (JP)
Mandataire : ESCHWEILER, Thomas, G.; Eschweiler & Associates Llc, 629 Euclid Avenue, Suite 1000, Cleveland, OH 44114 (US)
Données relatives à la priorité :
60/877,876 29.12.2006 US
11/724,773 16.03.2007 US
Titre (EN) MULTIBITS RESISTANCE CHANGING MEMORY CELL ARCHITECTURE AND ITS WRITING METHOD
(FR) ARCHITECTURE DE CELLULE DE MÉMOIRE À CHANGEMENT DE RÉSISTANCE MULTIBITS ET PROCÉDÉ D'ÉCRITURE CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A resistance changing memory unit cell includes a current control component operably coupled to a bit sense line, and a resistance changing memory element coupled between the current control component and a word line, wherein the current control component comprises a control terminal receiving a plurality of control signals and providing a current limiting function to at least three differing current levels.
(FR)L'invention concerne une cellule d'unité de mémoire à changement de résistance, comprenant un composant de commande de courant couplé fonctionnel à une ligne de détection de bit et un élément de mémoire à changement de résistance couplé entre le composant de commande de courant et une ligne de mots, le composant de commande de courant comprenant une borne de commande recevant une pluralité de signaux de commande et assurant une fonction de limitation de courant pour au moins trois niveaux de courant différents.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)