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1. (WO2008082644) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/082644    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/026472
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 28.12.2007
CIB :
H01L 23/13 (2006.01), H01L 25/10 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01)
Déposants : SPANSION LLC [US/US]; 915 DeGuigne Drive, Mail Stop 250, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (Tous Sauf US).
ONODERA, Masanori [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ONODERA, Masanori; (JP)
Mandataire : CATALE, Thomas, M.; Murabito, Hao & Barnes, 2 North Market Street, San Jose, CA 95113 (US)
Données relatives à la priorité :
JP2006-355025 28.12.2006 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)One embodiment in accordance with the invention can include a semiconductor device that includes a first substrate, a projection portion that has a first semiconductor chip mounted on the first substrate, a second substrate that is provided on the first substrate and is electrically coupled to the first substrate, and a second semiconductor chip that is mounted on the second substrate. An opening portion is formed by the second substrate. The projection portion is arranged in the opening portion.
(FR)Dans un de ses modes de réalisation, l'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant un premier substrat, une partie en saillie présentant une première puce semi-conductrice montée sur le premier substrat, un second substrat situé sur le premier substrat et électriquement relié au premier substrat, et une seconde puce semi-conductrice montée sur le second substrat. Une partie d'ouverture est formée par le second substrat. La partie en saillie est située dans la partie d'ouverture.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)