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1. (WO2008082614) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/082614    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/026426
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 27.12.2007
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : SPANSION LLC [US/US]; 915 Deguigne Drive, Mail Stop 250, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (Tous Sauf US).
HAYAKAWA, Yukio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NANSEI, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HAYAKAWA, Yukio; (JP).
NANSEI, Hiroyuki; (JP)
Mandataire : MURABITO, Anthony, C.; Murabito, Hao & Barnes, 2 North Market Street, San Jose, CA 95113 (US)
Données relatives à la priorité :
JP2006/353415 27.12.2006 JP
12/002,728 17.12.2007 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides an SOI semiconductor device that has a shorter distance between the bit lines and easily achieves higher storage capacity and density, and a method of manufacturing such a semiconductor device. The semiconductor device includes: first bit lines 14 formed on an insulating said channel layers 16 can be coupled to each other to form one channel layer. A second bit line 18 can be formed on the insulating layer 12 and is coupled to the channel layers 16 substrate; an insulating layer 12 that is provided between the first bit lines on the substrate, and has a higher upper face than the first bit lines; channel layers 16 that are provided on both side faces of the insulating layer, and are coupled to the respective first bit lines; and charge storage layers 22 that are provided on the opposite side faces of the channel layers from the side faces on which the insulating layers are formed.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur SOI présentant une distance entre les lignes de bits qui est inférieure à celle de l'état de la technique et permettant d'atteindre facilement une capacité de stockage et une densité plus élevées que celles de l'état de la technique. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel dispositif semi-conducteur. Le dispositif semi-conducteur de l'invention comprend : des premières lignes de bits (14) formées sur un substrat isolant; des couches de canaux (16) qui sont reliées entre elles pour former une couche de canaux; et des couches de stockage de charge (22) situées sur les faces latérales opposées des couches de canaux par rapport aux faces latérales sur lesquelles sont formées les couches isolantes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)