WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008082186) PROCÉDÉ PERMETTANT LA PRODUCTION D'UN FIL NANOMÉTRIQUE AU MOYEN D'UNE CROISSANCE SOUS CONTRAINTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/082186    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/006944
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 28.12.2007
CIB :
C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION, YONSEI UNIVERSITY [KR/KR]; Yonsei University 134 Sinchon-dong, Seodaemun-gu, Seoul 120-749 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, WOO YOUNG [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
HAM, JIN HEE [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SHIM, WOO YOUNG [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
ROH, JONG WOOK [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, SEUNG HYUN [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
JEON, KYE JIN [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, WOO YOUNG; (KR).
HAM, JIN HEE; (KR).
SHIM, WOO YOUNG; (KR).
ROH, JONG WOOK; (KR).
LEE, SEUNG HYUN; (KR).
JEON, KYE JIN; (KR)
Mandataire : DAWOOL PATENT AND LAW FIRM; 7th Floor, Injung bldg., 830-71, Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0137069 28.12.2006 KR
10-2007-0051236 28.05.2007 KR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING NANOWIRE BY USING STRESS-INDUCED GROWTH
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT LA PRODUCTION D'UN FIL NANOMÉTRIQUE AU MOYEN D'UNE CROISSANCE SOUS CONTRAINTE
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a nanowire using stress-induced growth. The method includes: providing a substrate with an intermediate layer formed thereon; forming thin film on the intermediate layer, wherein the thin film made of material having more than 2x10 /°C of thermal expansion coefficient difference from the intermediate layer; inducing tensile stress due to the thermal expansion coefficient difference between the thin film and the substrate by performing a heat treatment on the substrate with the thin film formed; and growing single-crystalline nanowire of the material by inducing compressive stress at the thin film through cooling of the substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant la fabrication d'un fil nanométrique au moyen d'une croissance sous contrainte. Le procédé comprend les étapes consistant à fournir un substrat sur lequel une couche intermédiaire est formée ; former une couche mince sur la couche intermédiaire, la différence entre le coefficient de dilatation thermique du matériau constituant la couche mince et le coefficient de dilatation thermique de la couche intermédiaire étant de plus de 2 x 10 /°C ; induire une contrainte de tension du fait de la différence entre le coefficient de dilation thermique de la couche mince et le coefficient de dilation thermique du substrat en soumettant le substrat sur lequel la couche intermédiaire est formée à un traitement thermique ; et former un fil nanométrique monocristallin composé du matériau en induisant une contrainte de compression sur la couche mince par l'intermédiaire du refroidissement du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)