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1. (WO2008082128) COPOLYMERES DE SILSESQUIOXANE A BASE DE NORBORNENE, DERIVE DE SILANE A BASE DE NORBORNENE UTILISE DANS LA PREPARATION DE CES COPOLYMERES ET PROCEDE DE PREPARATION D'UN FILM ISOLANT A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE CONTENANT CES COPOLYMERES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/082128    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/006794
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 24.12.2007
CIB :
C08G 77/00 (2006.01)
Déposants : SAMYANG CORPORATION [KR/KR]; 263, Yeonji-dong, Jongro-gu, Seoul 110-725 (KR) (Tous Sauf US).
PARK, Joo-Hyeon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
RYU, Bu-Geun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Jin-Youp [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SONG, Soo-Suk [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
CHOI, Jae-Ho [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Seung-Hun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Jin-A [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
CHOI, Jung-Sik [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Doe [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : PARK, Joo-Hyeon; (KR).
RYU, Bu-Geun; (KR).
KIM, Jin-Youp; (KR).
SONG, Soo-Suk; (KR).
CHOI, Jae-Ho; (KR).
LEE, Seung-Hun; (KR).
KIM, Jin-A; (KR).
CHOI, Jung-Sik; (KR).
KIM, Doe; (KR)
Mandataire : PHIL & ONZI INT'L PATENT & LAW FIRM; Jinsuk B/D 8F., 1536-7, Seocho-dong, Seocho-gu, Seoul 137-872 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0136754 28.12.2006 KR
10-2006-0136755 28.12.2006 KR
Titre (EN) NORBORNENE-BASED SILSESQUIOXANE COPOLYMERS, NORBORNENE-BASED SILANE DERIVATIVE USED FOR PREPARATION OF THE SAME AND METHOD OF PREPARING LOW DIELECTRIC INSULATING FILM COMPRISING THE SAME
(FR) COPOLYMERES DE SILSESQUIOXANE A BASE DE NORBORNENE, DERIVE DE SILANE A BASE DE NORBORNENE UTILISE DANS LA PREPARATION DE CES COPOLYMERES ET PROCEDE DE PREPARATION D'UN FILM ISOLANT A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE CONTENANT CES COPOLYMERES
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to norbornene-based polysilsesquioxane copolymers, norbornene-based silane derivatives used for preparation of the same and a method of preparing an insulating film of a semiconductor device. The norbornene-based polysilsesquioxane copolymers of the present invention are prepared by hydrolyzing and condensation-polymerizing a kind of cyclic olefin, i.e. a predetermined norbornene-based silane derivative and a predetermined polysilsesquioxane precursor used as monomers in an organic solvent in the presence of an acid or base catalyst and water. The norbornene-based silane derivatives of the present invention have high reactivity and the norbornene-based polysilsesquioxane copolymers of the present invention prepared using the same, have excellent mechanical properties, thermal stability and crack resistance and a low dielectric constant, and thus can be effectively used as a material for an interlayer insulating film of a semiconductor device with a low dielectric constant.
(FR)L'invention concerne des copolymères de polysilsesquioxane à base de norbornène, des dérivés de silane à base de norbornène utilisés dans la préparation de ces copolymères, ainsi qu'un procédé de préparation d'un film isolant de dispositif semiconducteur. Les copolymères selon l'invention sont obtenus par hydrolyse et polymérisation par condensation d'un type de cyclooléfine, à savoir un dérivé de silane à base de norbornène prédéterminé et un précurseur de polysilsesquioxane prédéterminé utilisés comme monomères dans un solvant organique en présence d'un catalyser acide ou basique et d'eau. Les dérivés de silane à base de norbornène selon l'invention présentent une réactivité élevée et les copolymères selon l'invention préparés au moyen desdits dérivés présentent des propriétés mécaniques, une stabilité thermique et une résistance au craquelage excellentes ainsi qu'une faible constante diélectrique, ce qui permet de les utiliser efficacement comme matériau de film isolant intercouche d'un dispositif semiconducteur présentant une faible constante diélectrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)