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1. (WO2008082097) DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/082097    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/006463
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 12.12.2007
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. [KR/KR]; 1-36 Block, 727-5, Wonsi-dong, Danwon-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 425-851 (KR) (Tous Sauf US).
YOON, Yeo Jin [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Chang Yeon [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : YOON, Yeo Jin; (KR).
KIM, Chang Yeon; (KR)
Mandataire : LEE, Soo Wan; AIP Patent & Law Offices, Shin-Won Building 8F, 823-14 Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-933 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0136681 28.12.2006 KR
10-2006-0136682 28.12.2006 KR
10-2006-0136683 28.12.2006 KR
Titre (EN) LIGHT EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abrégé : front page image
(EN)There is provided a method of fabricating a vertical light emitting diode. The method comprises the steps of: growing a low doped first conductive semiconductor layer on a sacrificial substrate; forming an aluminum layer on the low doped first conductive semiconductor layer; forming an AAO layer having a large number of holes formed therein by performing anodizing treatment of the aluminum layer; etching and patterning the low doped first conductive semiconductor layer using the aluminum layer with a large number of the holes as a shadow mask to expose a portion of the low doped first conductive semiconductor layer, thereby forming a large number of grooves; removing the aluminum layer remaining on the low doped first conductive semiconductor layer; sequentially forming a high doped first conductive semiconductor layer, an active layer and a second conductive semiconductor layer on the low doped first conductive semiconductor layer with a large number of the grooves; forming a metal reflective layer and a conductive substrate on the second conductive semiconductor layer; separating the sacrificial substrate; and forming an electrode pad on the other surface of the low doped first conductive semiconductor layer, the electrode pad being filled in a large number of the grooves to be in ohmic contact with the high doped first conductive semiconductor layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une diode électroluminescente verticale. Le procédé comporte les étapes consistant à : faire croître une première couche semi-conductrice faiblement dopée sur un substrat sacrifié; former une couche d'aluminium sur la première couche semi-conductrice faiblement dopée; former une couche AAO comportant un grand nombre de trous par la mise en œuvre d'un traitement d'anodisation sur la couche d'aluminium; graver la première couche semi-conductrice faiblement dopée et y former un motif en utilisant comme masque perforé la couche d'aluminium comportant un grand nombre de trous afin d'exposer une partie de la couche semi-conductrice faiblement dopée, de manière à former un grand nombre de rainures; éliminer la couche d'aluminium restant sur la première couche semi-conductrice faiblement dopée; former séquentiellement une première couche semi-conductrice fortement dopée, une couche active et une deuxième couche semi-conductrice sur la première couche semi-conductrice faiblement dopée comportant un grand nombre de rainures ; former une couche métallique réfléchissante et un substrat conducteur sur la deuxième couche semi-conductrice; séparer le substrat sacrifié ; et former une plage d'électrode sur l'autre surface de la première couche semi-conductrice faiblement dopée, la plage d'électrode étant remplie dans un grand nombre des rainures afin d'être en contact ohmique avec la première couche semi-conductrice fortement dopée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)