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1. (WO2008082081) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE AYANT UNE COUCHE BARRIÈRE DE STRUCTURE EN SUPER RÉSEAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/082081    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/005840
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 21.11.2007
CIB :
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. [KR/KR]; 1-36 Block, 727-5, Wonsi-dong, Danwon-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 425-851 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Sang Joon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
OH, Duck Hwan [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Kyung Hae [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
HAN, Chang Seok [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Sang Joon; (KR).
OH, Duck Hwan; (KR).
KIM, Kyung Hae; (KR).
HAN, Chang Seok; (KR)
Mandataire : LEE, Soo Wan; AIP Patent & Law Offices, Shin-Won Building 8F, 823-14 Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-933 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0136684 28.12.2006 KR
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODE HAVING BARRIER LAYER OF SUPERLATTICE STRUCTURE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE AYANT UNE COUCHE BARRIÈRE DE STRUCTURE EN SUPER RÉSEAU
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting diode (LED) having a barrier layer with a superlattice structure is disclosed. In an LED having an active region between an GaN-based N-type compound semiconductor layer and a GaN-based P-type compound semiconductor layer, the active region comprises a well layer and a barrier layer with a superlattice structure. As the barrier layer with the superlattice structure is employed, it is possible to reduce occurrence of defects caused by lattice mismatch between the well layer and the barrier layer.
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente (DEL) ayant une couche barrière avec structure en super réseau. Dans une DEL ayant une région active entre une couche semi-conductrice de composé du type N à base de GaN et une couche semi-conductrice de composé de type P à base de GaN, la région active comprend une couche de puits et une couche barrière avec une structure en super réseau. Etant donné que la couche barrière avec la structure en super réseau est employée, il est possible de réduire l'apparition de défauts provoqués par un mésappariement de réseau entre la couche de puits et la couche barrière.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)