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1. (WO2008082047) FET, DISPOSITIF DE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE CEUX-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/082047    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/002885
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 14.06.2007
CIB :
H01L 27/105 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF SEOUL FOUNDATION OF INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION [KR/KR]; University of Seoul, 90, Jeonnong-dong, Dongdaemun-gu, Seoul 130-743 (KR) (Tous Sauf US).
PARK, Byung-Eun [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : PARK, Byung-Eun; (KR)
Mandataire : KIM, Yoo; SARANG Internationl Patant & Law Office 2-202, Taewon-building, 746-15 Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul, 135-925 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0138741 29.12.2006 KR
10-2007-0058177 14.06.2007 KR
Titre (EN) FET, FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) FET, DISPOSITIF DE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE CEUX-CI
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed herein are a field-effect transistor (FET) , a ferroelectric memory device, and methods of manufacturing the same. The FET and the ferroelectric memory device in accordance with the present invention include: a substrate 1; source and drain regions 2 and 3 formed on the substrate; a channel layer 4 formed between the source and drain regions 2 and 3; and a ferroelectric layer 5 formed on the channel layer 4, the ferroelectric layer 5 being composed of a mixture of an inorganic ferroelectric material and an organic material. The ferroelectric layer 5 is formed in a manner that a mixed solution of an inorganic ferroelectric material and an organic material is applied onto the substrate and then subjected to annealing and etching processes.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ (FET), un dispositif de mémoire ferroélectrique et des procédés de fabrication de ceux-ci. Le FET et le dispositif de mémoire ferroélectrique de l'invention comprennent: un substrat (1); des régions source et drain (2 et 3) formées sur le substrat ; une couche canal (4) formée entre les régions source et drain (2 et 3); et une couche ferroélectrique (5) formée sur la couche canal (4), la couche ferroélectrique (5) étant composée d'un mélange d'une matière ferroélectrique inorganique et d'une matière organique. La formation de la couche ferroélectrique (5) comporte les étapes consistant à : appliquer une solution mélangée d'une matière ferroélectrique inorganique et d'une matière organique sur le substrat, et soumettre ensuite cette solution à des traitements de recuit et de gravure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)