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1. (WO2008082045) DISPOSITIF DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/082045    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/002883
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 14.06.2007
CIB :
H01L 27/105 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF SEOUL FOUNDATION OF INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION [KR/KR]; University Of Seoul, 90 Jeonnong-dong, Dongdaemun-gu, Seoul 130-743 (KR) (Tous Sauf US).
PARK, Byung-Eun [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : PARK, Byung-Eun; (KR)
Mandataire : KIM, Yoo; SARANG Internationl Patant & Law Office 2-202, Taewon-building, 746-15 Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul, 135-925 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0138735 29.12.2006 KR
10-2006-0138752 29.12.2006 KR
10-2007-0057575 13.06.2007 KR
Titre (EN) MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed herein are a memory device formed in a simple structure without using a switching element such as a transistor and providing a non-volatile storage, and a method of manufacturing the same. The memory device in accordance with the present invention includes: a substrate 70; a plurality of lower electrodes 71 formed parallel to each other on the substrate 70; a ferroelectric layer 72 formed on the lower electrodes; and a plurality of upper electrodes 73 formed to intersect the lower electrodes 71, the ferroelectric layer 72 being composed of a mixture of an inorganic ferroelectric material and an organic material.
(FR)L'invention concerne un dispositif de mémoire qui présente une structure simple, est dépourvu d'élément de commutation tel qu'un transistor et forme une mémoire permanente, et un procédé de fabrication de celui-ci. Le dispositif de mémoire de l'invention comprend : un substrat (70); une pluralité d'électrodes inférieures (71) formées parallèlement sur le substrat (70); une couche ferroélectrique (72) formée sur les électrodes inférieures; et une pluralité d'électrodes supérieures (73) formées de manière à couper les électrodes inférieures (71), la couche ferroélectrique (72) étant composée d'un mélange d'une matière ferroélectrique inorganique et d'une matière organique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)