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1. (WO2008081968) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/081968    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/075368
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 26.12.2007
CIB :
H01L 21/78 (2006.01), H01L 21/308 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka, 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
ARITA, Kiyoshi; (US Seulement).
HAJI, Hiroshi; (US Seulement)
Inventeurs : ARITA, Kiyoshi; .
HAJI, Hiroshi;
Mandataire : OGURI, Shohei; Eikoh Patent Office, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-349189 26.12.2006 JP
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN) An object is to provide a manufacturing method of a semiconductor chip, by which while a semiconductor wafer is not broken when the semiconductor wafer is transported before plasma dicing is carried out, a time required for the plasma dicing can be shortened, so that a manufacturing efficiency of the semiconductor chips can be improved. After a resist film 6 has been formed on a ground rear plane 1q of a semiconductor wafer 1, partial portions (6a and 1b) of cutting margin areas (6a, 1b, 1c, 3c) along dicing lines 2 are removed by a blade 13 corresponding to a mechanical cutting means, and thickness 't' of remaining cutting margin areas 1c of the semiconductor wafer 1 along a thickness direction thereof are made thinner, which never causes any problem when the semiconductor wafer 1 is transported. Thereafter, all of the remaining cutting margin areas (1c, 3a) are removed by performing a plasma etching process.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce à semi-conducteurs, par lequel alors qu'une tranche de semi-conducteur n'est pas rompue lorsque la tranche de semi-conducteur est transportée avant que le découpage en dés par plasma ne soit exécuté, un temps nécessaire pour le découpage en dés par plasma peut être raccourci, de telle sorte qu'une efficacité de fabrication des puces à semi-conducteurs peut être améliorée. Après qu'un film résistant (6) a été formé sur un plan arrière (1q) de sol d'une tranche (1) de semi-conducteur, des parties partielles (6a et 1b) de zones (6a, 1b, 1c, 3c) de marge de coupe le long de lignes (2) de découpage en dés sont enlevées à l'aide d'une lame (13) correspondant à un moyen de découpage mécanique, et une épaisseur « t » de zones restantes (1c) de marge de coupe de la tranche (1) de semi-conducteur le long d'une direction d'épaisseur de celle-ci sont rendues plus fines, ce qui n'entraîne jamais de problème lorsque la tranche (1) de semi-conducteur est transportée. Ensuite, toutes les zones restantes (1c, 3a) de marge de coupe sont enlevées en exécutant un processus d'attaque par plasma.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)