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1. (WO2008081841) CIBLE DE PULVÉRISATION À BASE DE COCRPT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/081841    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/075031
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 26.12.2007
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), C22C 19/00 (2006.01), G11B 5/851 (2006.01)
Déposants : MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. [JP/JP]; 1-11-1, Osaki, Shinagawa-ku, Tokyo 1418584 (JP) (Tous Sauf US).
KATO, Kazuteru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAYASHI, Nobukazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KATO, Kazuteru; (JP).
HAYASHI, Nobukazu; (JP)
Mandataire : SUZUKI, Shunichiro; S.SUZUKI & ASSOCIATES Gotanda Yamazaki Bldg. 6F 13-6, Nishigotanda 7-chome Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-000165 04.01.2007 JP
Titre (EN) COCRPT-BASED SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION À BASE DE COCRPT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) CoCrPt系スパッタリングターゲットおよびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a CoCrPt-based sputtering target which is reduced in the size and the quantity of a high-chromium particle having a high chromium atom content unevenly distributed in the sputtering target and therefore has increased target homogeneity, which is reduced in the formation of nodule or arcing, and which has a desired chemical composition. The CoCrPt-based sputtering target comprises cobalt, chromium, a ceramic material and platinum, wherein a high-chromium particle which has a high chromium atom content and is unevenly distributed in the sputtering target has a longest diameter of 40 &mgr;m or less.
(FR)L'invention concerne une cible de pulvérisation à base de CoCrPt qui est réduite en dimensions et en quantité de particules à teneur en chrome élevée, ayant une teneur en atomes de chrome élevée distribuée de façon non régulière dans la cible de pulvérisation et, par conséquent, a une homogénéité de cible augmentée, une formation de nodules ou d'arcs réduite, et qui a une composition chimique désirée. La cible de pulvérisation à base de CoCrPt comprend du cobalt, du chrome, un matériau céramique et du platine, des particules à teneur en chrome élevée qui a une teneur en atomes de chrome élevée et qui est distribuée de façon non régulière dans la cible de pulvérisation ayant un diamètre le plus long de 40 µm ou moins.
(JA) 本発明は、CoCrPt系スパッタリングターゲットにおいて、該スパッタリングターゲットに偏在する、クロム原子を高濃度で含有する高クロム含有粒子のサイズおよび発生量を低減することにより、ターゲットの均質性を高め、かつノジュールまたはアーキングの発生を抑制するとともに、目標とする組成比を有するCoCrPt系スパッタリングターゲットを提供することを課題としている。  本発明のCoCrPt系スパッタリングターゲットは、コバルト、クロム、セラミックスおよび白金を含有するスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットに偏在する、クロム原子を高濃度で含有する高クロム含有粒子の最大差し渡し径が40μm以下であることを特徴としている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)