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1. (WO2008081723) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ISOLANT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/081723    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/074482
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 20.12.2007
CIB :
H01L 21/318 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
HONDA, Minoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATO, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKANISHI, Toshio [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HONDA, Minoru; (JP).
SATO, Yoshihiro; (JP).
NAKANISHI, Toshio; (JP)
Mandataire : TAKAYAMA, Hiroshi; Hirakawacho Tsujita Bldg. 2F 1-7-20 Hirakawacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020093 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-356082 28.12.2006 JP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING INSULATING FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ISOLANT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 絶縁膜の形成方法および半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming an insulating film includes a step of preparing a substrate, which is to be processed and has silicon exposed on the surface; a step of performing first nitriding to the silicon exposed on the surface of the substrate, and forming a silicon nitride film having a thickness of 0.2nm but not more than 1nm on the surface of the substrate; and a step of performing first heat treatment to the silicon nitride film in N2O atmosphere and forming a silicon nitride film. This method may further include a step of performing second nitriding to the silicon oxynitride film, and furthermore, may include a step of performing second heat treatment to the silicon oxynitride film after the second nitriding.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un film isolant comprenant une étape de préparation d'un substrat, qui doit être traité et qui présente du silicium exposé à la surface; une étape de mise en oeuvre d'une première nitruration sur le silicium exposé à la surface du substrat, et de formation d'un film de nitrure de silicium présentant une épaisseur d'au moins 0,2 nm mais inférieure à 1 nm à la surface du substrat; ainsi qu'une étape de mise en oeuvre d'un premier traitement thermique sur le film de nitrure de silicium dans une atmosphère de N2O, ainsi que de formation d'un film de nitrure de silicium. Ledit procédé peut également comprendre une étape de mise en oeuvre d'une seconde nitruration sur le film d'oxynitrure de silicium, et en outre, peut comprendre une étape de mise en oeuvre d'un second traitement thermique sur le film d'oxynitrure de silicium après la seconde nitruration.
(JA) 絶縁膜の形成方法は、表面にシリコンが露出した被処理基板を準備する工程と、被処理基板表面に露出するシリコンに対し第1の窒化処理を施し、被処理基板表面に0.2~1nm未満の膜厚でシリコン窒化膜を形成する工程と、シリコン窒化膜に対しNO雰囲気で第1の熱処理を施し、シリコン酸窒化膜を形成する工程とを含む。この方法は、さらにシリコン酸窒化膜に対し第2の窒化処理を施す工程を含んでもよく、さらに、第2の窒化処理の後のシリコン酸窒化膜に対し第2の熱処理を施す工程を含んでもよい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)