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1. (WO2008081717) PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE DE NITRURE DU GROUPE III, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE DU GROUPE III ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE, ET LAMPE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/081717    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/074411
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 19.12.2007
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome Minato-ku Tokyo 1058518 (JP) (Tous Sauf US).
SHINOHARA, Hironao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAI, Hiromitsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHINOHARA, Hironao; (JP).
SAKAI, Hiromitsu; (JP)
Mandataire : SHIGA, Masatake; 1-9-2, Marunouchi Chiyoda-ku Tokyo 1006620 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-346000 22.12.2006 JP
2007-224496 30.08.2007 JP
2007-274376 22.10.2007 JP
2007-286690 02.11.2007 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE, AND LAMP
(FR) PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE DE NITRURE DU GROUPE III, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE DU GROUPE III ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE, ET LAMPE
(JA) III族窒化物半導体層の製造方法、及びIII族窒化物半導体発光素子、並びにランプ
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for producing a group III nitride semiconductor layer having excellent crystallinity which can be suitably used for forming a light-emitting device having excellent internal quantum efficiency and light extraction efficiency. Specifically disclosed is a method for producing a single crystal group III nitride semiconductor layer (103) on a substrate (101), which comprises a substrate processing step wherein a plurality of projected portions (12) composed of surfaces 12c not parallel to (0001)C-plane of the substrate (101) are formed on the (0001)C-plane, thereby forming an upper surface (10) composed of a flat surface (11) composed of the(0001)C-plane and the projected portions (12); and an epitaxial step for epitaxially growing the group III nitride semiconductor layer (103) on the upper surface (10), thereby embedding the projected portions (12) in the group III nitride semiconductor layer (103).
(FR)L'invention concerne un procédé pour produire une couche semi-conductrice de nitrure du groupe III ayant une excellente cristallinité qui peut être utilisée de façon appropriée pour former un dispositif émettant de la lumière ayant un excellent rendement quantique interne et un excellent rendement d'extraction de lumière. L'invention concerne spécifiquement un procédé de production d'une couche semi-condutrice de nitrure du groupe III monocristallin (103) sur un substrat (101), qui comprend une étape de traitement de substrat dans laquelle une pluralité de parties en saillie (12) composées de surfaces (12c) non parallèles au plan (0001) C du substrat (101) sont formées sur le plan (0001) C, formant ainsi une surface supérieure (10) composée d'une surface plate (11) composée du plan (0001) C et des parties en saillie (12) ; et une étape épitaxiale pour développer de façon épitaxiale la couche semi-conductrice de nitrure du groupe III (103) sur la surface supérieure (10), incorporant ainsi les parties en saillie (12) dans la couche semi-conductrice de nitrure du groupe III (103).
(JA) 本発明の目的は、内部量子効率および光取り出し効率に優れた発光素子の形成に好適に使用できる結晶性に優れたIII族窒化物半導体層の得られる製造方法を提供することである。本発明によれば、基板101上に単結晶のIII族窒化物半導体層103を形成するIII族窒化物半導体層の製造方法において、基板101の(0001)C面上に前記C面に非平行の表面12cからなる複数の凸部12を形成することにより、前記基板101上に前記C面からなる平面11と前記凸部12とからなる上面10を形成する基板加工工程と、前記上面10上に前記III族窒化物半導体層103をエピタキシャル成長させて、前記凸部12を前記III族窒化物半導体層103で埋めるエピ工程とを備えるIII族窒化物半導体層103の製造方法とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)