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1. (WO2008081585) CIBLE DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/081585    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/001470
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 26.12.2007
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), C23C 24/04 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP) (Tous Sauf US).
TOSHIBA MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 8, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2358522 (JP) (Tous Sauf US).
SATO, Michio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOHSAKA, Yasuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAMURA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKASHIMA, Nobuaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAMOTO, Toshiya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWASHIMA, Fumiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SATO, Michio; (JP).
KOHSAKA, Yasuo; (JP).
NAKAMURA, Takashi; (JP).
NAKASHIMA, Nobuaki; (JP).
SAKAMOTO, Toshiya; (JP).
KAWASHIMA, Fumiyuki; (JP)
Mandataire : SUYAMA, Saichi; Kanda Higashiyama Bldg. 1, Kandata-cho 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 101-0046 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-000461 05.01.2007 JP
2007-257531 01.10.2007 JP
Titre (EN) SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION CORRESPONDANT
(JA) スパッタリングターゲットとその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A sputtering target (1) comprises a substrate (2) and a target layer (3) which contains metal particles (4) and is deposited on the substrate (2). A fraction of the metal particles which has an aspect ratio of 1.5 or greater comprises 90% or more of the thickness-wise cross section of the target layer (3) in terms of the number of particles, wherein the aspect ratio means a ratio between X and Y (i.e., a X/Y ratio), wherein X represents the maximum diameter and Y represents the minimum diameter of the metal particles (4) on the thickness-wise cross section of the target layer (3). The target layer (3) may be formed by the cold spray method.
(FR)La présente invention concerne une cible de pulvérisation (1) qui se compose d'un substrat (2) et d'une couche cible (3) qui contient des particules métalliques (4) et qui est déposée sur le substrat (2). Une fraction des particules métalliques qui a un rapport hauteur/largeur de 1,5 ou supérieur comprend 90% ou plus de la section de coupe dans le sens de l'épaisseur de la couche cible (3) en termes du nombre de particules, sachant que le rapport hauteur/largeur signifie un rapport entre X et Y (ou rapport X/Y), où X représente le diamètre maximal et Y le diamètre minimal des particules métalliques (4) sur la section de coupe dans le sens de l'épaisseur de la couche cible (3). La couche cible (3) peut être formée par le procédé de la pulvérisation à froid.
(JA) スパッタリングターゲット1は、基体2上に堆積させた金属粒子4を有するターゲット層3を具備する。ターゲット層3の厚さ方向の断面における金属粒子4の最大径をX、最小径をY、最小径Yに対する最大径Xの比(X/Y)を金属粒子4の扁平率としたとき、ターゲット層3の厚さ方向の断面には扁平率が1.5以上の金属粒子が個数比率で90%以上存在している。ターゲット層3は例えばコールドスプレー法で形成される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)