WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008081225) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/081225    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/000522
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 04.01.2007
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
STEFANOV, Evgueniy [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
DERAM, Alain [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
REYNES, Jean-Michel [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : STEFANOV, Evgueniy; (FR).
DERAM, Alain; (FR).
REYNES, Jean-Michel; (FR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a semiconductor device comprises providing a substrate (4), providing a semiconductor layer (6) of a first conductivity type over the substrate (4), forming a first region (8) of the first conductivity type in the semiconductor layer (6), and forming a gate (26) over the semiconductor layer (6) and over part of the first region (8). The gate outlines a first portion (58) of a surface (10) of the device of a second conductivity type dopants are provided to the outlined first portion (58) to provide a second region (12) in the semiconductor layer (6). The first region (8) and second region (12) are driven into the semiconductor layer so as to form a pre-control region (8) of the first conductivity type extending under a portion of the gate (26) and a graded body region (12) of the first conductivity type extending under the pre-control region (8). A body region (14) is formed by providing dopants of the second conductivity type to the outlined first portion (58).
(FR)Un procédé de formation d'un dispositif semi-conducteur comprend la fourniture d'un substrat (4), la fourniture d'une couche semi-conductrice (6) d'un premier type de conductivité sur le substrat (4), la formation d'une première région (8) du premier type de conductivité dans la couche semi-conductrice (6), et la formation d'une grille (26) sur la couche semi-conductrice (6) et sur une partie de la première région (8). La grille délimite une première partie (58) d'une surface (10) du dispositif d'un second type de conductivité, des dopants sont disposés sur la première partie délimitée (58) pour fournir une seconde région (12) dans la couche semi-conductrice (6). La première région (8) et la seconde région (12) sont entraînées dans la couche semi-conductrice de façon à former une région de précommande (8) du premier type de conductivité s'étendant sous une partie de la grille (26) et une région à corps étagé (12) du premier type de conductivité s'étendant sous la région de précommande (8). Une région de corps (14) est formée par la fourniture de dopants du second type de conductivité à la première partie délimitée (58).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)