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1. (WO2008081103) CROISSANCE CRISTALLINE EN SOLUTION DANS DES CONDITIONS STATIONNAIRES.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/081103    N° de la demande internationale :    PCT/FR2007/001980
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 03.12.2007
CIB :
C30B 7/00 (2006.01), C30B 7/08 (2006.01), C30B 29/14 (2006.01), C30B 35/00 (2006.01)
Déposants : CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (C.N.R.S.) [FR/FR]; 3 rue Michel Ange, F-75016 Paris (FR) (Tous Sauf US).
IBANEZ, Alain [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
ZACCARO, Julien [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : IBANEZ, Alain; (FR).
ZACCARO, Julien; (FR)
Mandataire : JACOBSON, Claude; Lavoix, 2 Place d'Estienne d'Orves, F-75441 Paris Cedex 09 (FR)
Données relatives à la priorité :
06 55343 06.12.2006 FR
Titre (EN) CRYSTAL GROWTH IN A SOLUTION IN STATIONARY CONDITIONS
(FR) CROISSANCE CRISTALLINE EN SOLUTION DANS DES CONDITIONS STATIONNAIRES.
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for crystal growth in a solution adapted for the fast, controlled and efficient preparation of large-dimension crystals (1) from a supersaturated solution into a compound. The crystal growth is carried out in stationary conditions. In order to do so, the growth is carried out in a crystallisation chamber (10) maintained at a constant temperature Tc and in fluid communication with a saturation chamber (20) at a temperature Ts that is also constant but different from Tc, the compound solubility at the Ts temperature being higher than compound solubility at the temperature Tc. A continuous solution circulation is established between the crystallisation (10) and saturation (20) chambers, thus maintaining a constant supersaturation ratio in the crystallisation chamber (10). The circulating solution is further submitted to a treatment for removing and inhibiting (40) the formation of aggregates, thus inhibiting the nucleation of parasitic crystallites.
(FR)La présente invention concerne un procédé de croissance cristalline en solution adapté à la préparation rapide, contrôlée et efficace de cristaux (1) de grandes dimensions, à partir d'une solution sursaturée en un composé. La croissance cristalline est effectuée dans des conditions stationnaires. Pour ce faire; la croissance est réalisée dans une chambre de cristallisation (10) maintenue à une température Tc constante, qui est en communication fluide avec une chambre de saturation (20) à une température Ts, également constante et différente de Tc, avec une solubilité du composé à la température Ts supérieure à la solubilité du composé à la température Tc. On établit une circulation continue de la solution entre les chambres de cristallisation (10) et de saturation (20), ce qui maintient ainsi un taux de sursaturation constant au sein de la chambre de cristallisation (10). En outre, la solution en circulation est soumise à un traitement d'élimination et d'inhibition (40) de la formation d'agrégats, permettant d'inhiber la nucléation de cristallites parasites.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)