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1. (WO2008080428) PROTODÉTECTEUR DE GUIDES D'ONDES EN GERMANIUM SUR SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/080428    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/012603
Date de publication : 10.07.2008 Date de dépôt international : 29.12.2006
CIB :
H01L 31/103 (2006.01), H01L 31/052 (2006.01), H01L 31/0368 (2006.01), G02B 6/42 (2006.01)
Déposants : PGT PHOTONICS S.P.A. [IT/IT]; Viale Sarca, 222, I-20126 Milano (IT) (Tous Sauf US).
COLACE, Lorenzo [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
ASSANTO, Gaetano [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
SOCCI, Luciano [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
ROMAGNOLI, Marco [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
BOLLA, Lorenzo [IT/IT]; (IT) (US Seulement)
Inventeurs : COLACE, Lorenzo; (IT).
ASSANTO, Gaetano; (IT).
SOCCI, Luciano; (IT).
ROMAGNOLI, Marco; (IT).
BOLLA, Lorenzo; (IT)
Mandataire : MONTEVECCHI, Emma; Cantaluppi & Partners, Via Matteotti, 26, I-35137 Padova (IT)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) WAVEGUIDE PHOTODETECTOR IN GERMANIUM ON SILICON
(FR) PROTODÉTECTEUR DE GUIDES D'ONDES EN GERMANIUM SUR SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)It is described a photodetector structure (1,1′,1'), comprising a silicon-based waveguide (2) in which optical signals to be detected travel in a given direction (X) and are confined therein; a germanium-based layer (4) disposed on a portion of the silicon-based waveguide (2), the germanium layer (4) including a first mesa (10) defining an active region having a length (L) along the signal propagating direction (X) and a width (W) in a direction (Z) substantially perpendicular to the propagating direction (X) so that an evanescent tail of the propagating optical signal in the waveguide (2) is coupled into the active region, and a second mesa (30; 40) separated by a distance d from the first mesa (10) in said direction (Z) substantially perpendicular to the signal propagating direction. The photodetector further includes a first (7) and a second metallic contact (9a,9b) having opposite polarities, the first metallic contact (7) being located on the active region of the first mesa (10) and the second metallic contact (9a, 9b) being located on said second mesa (30), said first and second contact being used to collect electrons generated by light absorption to obtain an output electric signal.
(FR)La présente invention concerne une structure de photodétecteur (1,1′,1''), comportant un guide d'ondes à base de silicium (2) dans laquelle des signaux optiques à détecter se déplacent dans une direction données (X) et y sont confinés ; une couche à base de germanium (4) disposée sur une partie du guide d'ondes à base de silicium (2), la couche de germanium comprenant un premier mesa (10) définissant une région active ayant une longueur (L) selon la direction de propagation de signaux (X) et une largeur (W) dans une direction (Z) sensiblement perpendiculaire à la direction de propagation (X) de sorte que la queue évanescente d'un signal optique se propageant dans le guide d'ondes (2) soit couplée dans la région active, et un second mesa (30; 40) séparé par une distance d du premier mesa (10) dans ladite direction (Z) sensiblement perpendiculaire à la direction de propagation de signaux. Le photodétecteur comporte également des premier (7) et second (9a, 9b) contacts métalliques ayant des polarités opposées, le premier contact métallique (7) étant situé sur la région active du premier mesa (10) et le second contact métallique (9a, 9b) étant situé sur le second mesa (30), lesdits premier et second contacts étant utilisés pour recueillir des électrons générés par l'absorption de lumière pour obtenir un signal électrique de sortie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)