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1. (WO2008080160) TECHNOLOGIES D'INTERCONNEXION POUR CELLULES ET MODULES SOLAIRES À CONTACT ARRIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/080160    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/088770
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 23.12.2007
CIB :
H01L 31/05 (2006.01)
Déposants : ADVENT SOLAR, INC. [US/US]; 5600 University Blvd SE, Albuquerque, NM 87106 (US) (Tous Sauf US).
HACKE, Peter [US/US]; (US) (US Seulement).
MEAKIN, David, H. [US/US]; (US) (US Seulement).
GEE, James, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
SOUTHIMATH, Sysavanh [US/US]; (US) (US Seulement).
MURPHY, Brian [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HACKE, Peter; (US).
MEAKIN, David, H.; (US).
GEE, James, M.; (US).
SOUTHIMATH, Sysavanh; (US).
MURPHY, Brian; (US)
Mandataire : ASKENAZY, Philip, D.; Peacock Myers, P.C., P.O. Box 26927, Albuquerque, NM 87125-6927 (US)
Données relatives à la priorité :
60/871,717 22.12.2006 US
Titre (EN) INTERCONNECT TECHNOLOGIES FOR BACK CONTACT SOLAR CELLS AND MODULES
(FR) TECHNOLOGIES D'INTERCONNEXION POUR CELLULES ET MODULES SOLAIRES À CONTACT ARRIÈRE
Abrégé : front page image
(EN)Methods and systems for interconnecting back contact solar cells. The solar cells preferably have reduced area busbars, or are entirely busbarless, and current is extracted from a variety of points on the interior of the cell surface. The interconnects preferably relieve stresses due to solder reflow and other thermal effects. The interconnects may be stamped and include external or internal structures which are bonded to the solder pads on the solar cell. These structures are designed to minimize thermal stresses between the interconnect and the solar cell. The interconnect may alternatively comprise porous metals such as wire mesh, wire cloth, or expanded metal, or corrugated or fingered strips. The interconnects are preferably electrically isolated from the solar cell by an insulator which is deposited on the cell, placed on the cell as a discrete layer, or laminated directly to desired areas of the interconnect.
(FR)La présente invention concerne des procédés et des systèmes pour interconnecter des cellules solaires à contact arrière. Les cellules solaires ont de préférence des barres omnibus de surface réduite, ou n'ont aucune barre omnibus, et le courant est extrait d'une variété de points sur l'intérieur de la surface de la cellule. Les interconnexions diminuent de préférence les stress dus à la refusion et d'autres effets thermiques. Les interconnexions peuvent être forgées et comprennent des structures externes ou internes qui sont liées aux coussinets de soudure sur la cellule solaire. Ces structures sont conçues pour minimiser les stress thermiques entre l'interconnexion et la cellule solaire. L'interconnexion peut sinon comprendre des métaux poreux tels qu'un grillage métallique, une toile métallique, ou du métal déployé, ou des bandes striées ou à doigts. Les interconnexions sont de préférence isolées électriquement de la cellule solaire par un isolant qui est déposé sur la cellule, placé sur la cellule sous forme de couche discrète, ou laminé directement sur les surfaces souhaitées de l'interconnexion.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)