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1. (WO2008080096) COMPOSITIONS ET PROCÉDÉS D'ÉLIMINATION SÉLECTIVE DE NITRURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/080096    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/088643
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 21.12.2007
CIB :
C09K 13/08 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [US/US]; 7 Commerce Drive, Danbury, Connecticut 06810 (US) (Tous Sauf US).
COOPER, Emanuel I. [US/US]; (US) (US Seulement).
SPARKS, Eileen [US/US]; (US) (US Seulement).
BOWERS, William R. [US/US]; (US) (US Seulement).
BISCOTTO, Mark A. [US/US]; (US) (US Seulement).
YANDERS, Kevin P. [US/US]; (US) (US Seulement).
KORZENSKI, Michael B. [US/US]; (US) (US Seulement).
SONTHALIA, Prerna [IN/US]; (US) (US Seulement).
THOMAS, Nicole E. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : COOPER, Emanuel I.; (US).
SPARKS, Eileen; (US).
BOWERS, William R.; (US).
BISCOTTO, Mark A.; (US).
YANDERS, Kevin P.; (US).
KORZENSKI, Michael B.; (US).
SONTHALIA, Prerna; (US).
THOMAS, Nicole E.; (US)
Mandataire : FUIERER, Tristan A.; Moore & Van Allen PLLC, Post Office Box 13706, Research Triangle Park, North Carolina 27709 (US)
Données relatives à la priorité :
60/871,391 21.12.2006 US
Titre (EN) COMPOSITIONS AND METHODS FOR THE SELECTIVE REMOVAL OF SILICON NITRIDE
(FR) COMPOSITIONS ET PROCÉDÉS D'ÉLIMINATION SÉLECTIVE DE NITRURE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)Compositions useful for the selective removal of silicon nitride materials relative to poly-silicon, silicon oxide materials and/or silicide materials from a microelectronic device having same thereon. The removal compositions include fluorosilicic acid, silicic acid, and at least one organic solvent. Typical process temperatures are less than about 100 °C and typical selectivity for nitride versus oxide etch is about 200:1 to about 2000:1. Under typical process conditions, nickel-based silicides as well as titanium and tantalum nitrides are largely unaffected, and polysilicon etch rates are less than about 1 Å min -1.
(FR)L'invention concerne des compositions servant à l'élimination sélective de matériaux de nitrure de silicium par rapport au polysilicium, à des matériaux d'oxyde de silicium et/ou à des matériaux de siliciure, à partir d'un appareil microélectronique comportant des matériaux de nitrure de silicium à sa surface. Les compositions d'élimination contiennent de l'acide fluorosilicique, de l'acide silicique et au moins un solvant organique. Les températures de traitement typiques sont inférieures à environ 100 °C et la sélectivité typique pour la gravure nitrure contre oxyde est d'environ 200:1 à environ 2000:1. Dans des conditions de traitement typiques, des siliciures à base de nickel et des nitrures de titane et de tantale ne sont généralement pas affectés, et les vitesses de gravure de polysilicium sont inférieures à environ 1 Å min -1.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)