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1. (WO2008079913) PROCÉDÉS, DISPOSITIFS ET SYSTÈMES POUR LA FABRICATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS TRIDIMENSIONNELS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/079913    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/088256
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 20.12.2007
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/687 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538 (US) (Tous Sauf US).
LI, Shijian [US/US]; (US) (US Seulement).
REDEKER, Fritz [US/US]; (US) (US Seulement).
DORDI, Yezdi [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LI, Shijian; (US).
REDEKER, Fritz; (US).
DORDI, Yezdi; (US)
Mandataire : LU, Yan; SYNC Technology Law Group, Suite 205B, 1090 Century Avenue, Shanghai 200120 (CN)
Données relatives à la priorité :
60/876,407 20.12.2006 US
11/958,025 17.12.2007 US
Titre (EN) METHODS, APPARATUSES, AND SYSTEMS FOR FABRICATING THREE DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUITS
(FR) PROCÉDÉS, DISPOSITIFS ET SYSTÈMES POUR LA FABRICATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS TRIDIMENSIONNELS
Abrégé : front page image
(EN)The present invention pertains to methods, apparatuses, and systems for fabricating three-dimensional integrated circuits. One embodiment of the method comprises providing a wafer or other substrate having a plurality of through holes. In addition, the method includes supporting the wafer or other substrate with a wafer or other substrate holder mounted in a process chamber. The method further includes generating a pressure differential between the front side of the wafer or other substrate and the back side of the wafer or other substrate while the wafer or other substrate is supported on the wafer or other substrate holder so that the pressure differential causes fluid flow through the through holes. Also, the method includes establishing process conditions in the process chamber for at least one process to fabricate integrated circuits. Embodiments of a system and embodiments of an apparatus according to the present invention are also presented.
(FR)L'invention concerne des procédés, des dispositifs et des systèmes pour la fabrication de circuits intégrés tridimensionnels. Dans un mode de réalisation, le procédé comporte les étapes consistant à : prévoir une tranche ou un autre substrat comportant une pluralité de trous traversants ; maintenir la tranche ou le substrat à l'aide d'un support de tranche ou de substrat monté dans une chambre de traitement ; produire un différentiel de pression entre la face avant de la tranche ou du substrat et sa face arrière pendant que la tranche ou le substrat est maintenu(e) sur ledit support, de sorte que le différentiel de pression provoque un écoulement de fluide à travers les trous traversants ; établir des conditions de traitement dans la chambre de traitement pendant au moins un traitement afin de fabriquer des circuits intégrés. L'invention comprend aussi des formes de réalisation d'un système et d'un dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)