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1. (WO2008079725) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE PROGRAMMATION À BASSE TENSION DE CELLULES DE MÉMOIRE NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/079725    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/087481
Date de publication : 03.07.2008 Date de dépôt international : 13.12.2007
CIB :
G11C 16/10 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 601 McCarthy Blvd., Milpitas, California 95035-7932 (US) (Tous Sauf US).
LEE, Dana [US/US]; (US) (US Seulement).
LUTZE, Jeffrey [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Dana; (US).
LUTZE, Jeffrey; (US)
Mandataire : CLEVELAND, Michael, G.; Davis Wright Tremaine LLP, 505 Montgomery Street, Suite 800, San Francisco, CA 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
11/614,879 21.12.2006 US
11/614,884 21.12.2006 US
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM OF LOW VOLTAGE PROGRAMMING OF NON-VOLATILE MEMORY CELLS
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE PROGRAMMATION À BASSE TENSION DE CELLULES DE MÉMOIRE NON VOLATILE
Abrégé : front page image
(EN)A low voltage method and system of programming a selected non-volatile memory cell in a memory array having a gate node coupled to a wordline WL(n) and a drain node connected to a selected bitline by injecting hot carriers from a drain region of an injecting memory cell having a gate node coupled to a next neighbor wordline WL(n-1) into a floating gate of the selected non-volatile memory cell on the wordline WL(n).
(FR)L'invention concerne un procédé basse tension et un système de programmation d'une cellule de mémoire non volatile sélectionnée dans une matrice de mémoire ayant un nœud de portillon couplé à une ligne de mots WL(n) et un nœud drain connecté à une ligne binaire sélectionnée en injectant des porteurs chauds à partir d'une région drain d'une cellule de mémoire d'injection ayant un nœud de portillon couplé à une ligne de mots WL(n-1) voisine suivante dans une grille flottante de la cellule de mémoire non volatile sélectionnée sur la ligne de mots WL(n).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)